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公开(公告)号：CN102259189A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110213464.7
申请日：2011-07-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔阴极基底的制备方法，属于粉末冶金领域。所采用的原料粉末包括钨、铱、铼、氧化钪等各种粉末，将各种粉末按照一定的重量百分比混合均匀，其中钨含量为40~100%。将原料粉末颗粒与粘结剂混合分散均匀，制成粒状的喂料，喂料中粉末的体积分数为40～75％。将喂料在注射成形机上成形为一定状的坯体，将成形坯体中的粘结剂脱除后，得到多孔阴极基底。本发明的优点是：可直接制备出具有特殊形状和尺寸要求的多孔阴极基底，无需机械加工，材料利用率高，成本低。可有效克服传统工艺带来的有害杂质的影响，提高阴极的电子发射性能、使用寿命以及工作可靠性等。可有效控制材料的孔径大小、孔隙分布、孔隙率以及孔隙的连通度等。
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公开(公告)号：CN102009240A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010520717.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种连接表面镀覆有薄膜金属层的AlN陶瓷和SiC/Al复合材料的方法，属于电子封装材料与技术领域。其方法及步骤如下：使用的AlN陶瓷和SiC/Al复合材料均已表面镀覆薄膜金属，金属层为1～10μm的镍。焊料为40Al-40.7Ag-19.3Cu共晶焊料，需配合使用氟化物钎剂。首先将AlN陶瓷、SiC/Al以及焊料采用物理或化学方法清洗干净；再将焊料置于AlN陶瓷和SiC/Al复合材料焊接面之间，加适量氟化物钎剂；最后在温度为560～600℃的保护性气氛中保温3～30分钟。本发明的特点是在此钎焊温度下不会影响母材的基本性能；焊料不会侵入母材而影响母材及接头性能；焊接后接头性能良好，接头剪切强度达到110MPa，气密性为1.0×10-11Pa·m3/s。
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公开(公告)号：CN101962760A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010520736.3
申请日：2010-10-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝陶瓷表面化学镀镍的方法，属于陶瓷薄膜金属化领域。其具体步骤如下：1、机械打磨氮化铝表面；2、用混合酸或碱粗化氮化铝基片，并彻底洗净残留的酸碱；3、将粗化好的基片在氯化亚锡溶液中敏化，在氯化钯溶液中活化；或者无钯活化；4、将硫酸镍、次亚磷酸钠、柠檬酸钠、醋酸钠、乳酸、硫脲、十二烷基硫酸钠，称取一定质量并按顺序配置成化学镀溶液；5、用酸或碱将溶液pH值调节到4.0～6.0，将溶液加热到70～95℃，放入准备好的基片进行化学镀镍。本发明的特点是能在难镀基材氮化铝陶瓷表面化学镀镍，加入一定量的表面活性剂，使得镀层更加致密平整，镀层与基体结合力增强，镀层钎焊性更好。
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公开(公告)号：CN101962760B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010520736.3
申请日：2010-10-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝陶瓷表面化学镀镍的方法，属于陶瓷薄膜金属化领域。其具体步骤如下：1、机械打磨氮化铝表面；2、用混合酸或碱粗化氮化铝基片，并彻底洗净残留的酸碱；3、将粗化好的基片在氯化亚锡溶液中敏化，在氯化钯溶液中活化；或者无钯活化；4、将硫酸镍、次亚磷酸钠、柠檬酸钠、醋酸钠、乳酸、硫脲、十二烷基硫酸钠，称取一定质量并按顺序配置成化学镀溶液；4、用酸或碱将溶液pH值调节到4.0～6.0，将溶液加热到70～95℃，放入准备好的基片进行化学镀镍。本发明的特点是能在难镀基材氮化铝陶瓷表面化学镀镍，加入一定量的表面活性剂，使得镀层更加致密平整，镀层与基体结合力增强，镀层钎焊性更好。
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