公开(公告)号：CN101429019A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810238963.X

申请日：2008-12-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 燕青芝 ,  焦玉磊 ,  肖玲 ,  郑明辉 ,  冯巧 ,  商敏 ,  葛昌纯

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/622 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种提高单畴YBCO超导块临界电流的方法，属于功能材料领域。其特征是在单畴YBCO超导块先驱粉中掺杂粒径20～100nm的SiO2纳米粉末，将SiO2纳米粉末按相对于YBCO超导块先驱粉的0.02～1wt％的比例加入该先驱粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺(TSMTG)生成单畴结构的YBCO超导块。SiO2纳米粉末的制备工艺为：将正硅酸四乙酯、无水乙醇和去离子水按体积比1∶1－3∶1－3配成清澈透明溶液，经水浴、搅拌形成乳白色凝胶；再经形成干凝胶后研磨成细粉，经400－700℃焙烧0.5－2.5小时即得到粒径20～100nm的SiO2纳米粉末。本发明有效提高了单畴YBCO超导块材宽场范围内的临界电流。