公开(公告)号：CN118621441A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310246472.4

申请日：2023-03-10

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  贾开诚 ,  韦明月 ,  竺叶澍 ,  邵家新 ,  王世伟 ,  王世勇 ,  冯文超 ,  徐晨宁

IPC: C30B29/28 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供一种大尺寸无孪晶铜单晶晶圆的制备方法，通过采用高功率循环磁控溅射的方法，在蓝宝石单晶晶圆衬底上沉积的(111)取向的初始铜织构中引入一定量的多晶结构，从而实现大尺寸无孪晶Cu(111)单晶晶圆衬底的可控制备。对于以石墨烯为代表的二维纳米材料来说，无孪晶Cu(111)单晶晶圆是良好的外延衬底，可以实现二维纳米材料的取向一致成核与无缝拼接，最终得到大面积的单晶薄膜。本方法对于探究铜薄膜的单晶化机理，推动晶圆级二维纳米材料单晶的可控制备来说具有重要的意义。

公开(公告)号：CN119640236A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411893069.1

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京石墨烯研究院有限公司

Inventor： 贾开诚 ,  蔡阿利 ,  张启蒙 ,  王世勇 ,  孟令华 ,  马梅

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/26 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明涉及一种用于气相沉积生长石墨烯晶圆的载具、上料机构及气相沉积装置，其中，载具包括：至少两组承载单元，所述承载单元沿碳源气体的气流方向依次排列；限位组件，位于所述承载单元上，用于实现晶圆的限位，所述限位组件被配置为使得晶圆所处平面与碳源气体的气流方向平行，同时使得相邻两组所述承载单元上的晶圆在与晶圆平面垂直的方向上呈错位排列。本发明有利于气流场及温度场均匀性，能够实现批量化、均匀性制备。