公开(公告)号：CN114019674B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111167883.1

申请日：2021-09-29

Applicant: 北京理工大学 ,  无锡微文半导体科技有限公司

Inventor： 谢会开 ,  肖磊 ,  王鹏 ,  丁英涛

IPC: G02B26/02

Abstract: 本公开提供了一种透射式光开关、阵列透射式光开关及电子设备；其中，所述透射式光开关包括基底，驱动装置以及静电吸合装置；所述基底形成有透光区域；所述驱动装置的一端与所述基底连接，所述驱动装置悬置于所述基底上，所述驱动装置被构造为能够发生弯曲形变和展平；所述静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，所述第一静电电极位于所述基底上，且为透光材料，所述第二静电电极位于所述驱动装置上；在所述驱动装置展平的状态下，所述驱动装置能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上，以关闭所述透光区域。本公开的方案为光开关提供了一种新的驱动方式，能够明显降低驱动电压和功耗，同时降低了维持光开关关闭的能耗。

公开(公告)号：CN112645274B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202011467858.0

申请日：2020-12-14

Applicant: 北京理工大学 ,  无锡微文半导体科技有限公司

Inventor： 谢会开 ,  肖磊 ,  王鹏 ,  丁英涛

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明公开了一种具有柔性连接结构的电热MEMS微动平台，包括引线电极、衬底、两种或多种材料层结构的电热驱动臂、可动结构、衬底端连接结构和可动端连接结构；所述电热驱动臂的一端通过衬底端连接结构连接到衬底，另一端通过所述可动端连接结构连接到所述可动结构；所述衬底端连接结构和/或所述可动端连接结构为柔性连接结构；所述柔性连接结构主要由有机聚合物材料构成；所述电热驱动臂中包含内置电阻；所述衬底端连接结构包含导电引线，将所述内置电阻与所述衬底上的引线电极相连；所述可动结构可以是一个微平台、一个透镜、一个反射镜面、一个框架等。本发明能够显著提高电热MEMS微动平台的抗冲击能力。

公开(公告)号：CN112645274A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011467858.0

申请日：2020-12-14

Applicant: 北京理工大学 ,  无锡微奥科技有限公司

Inventor： 谢会开 ,  肖磊 ,  王鹏 ,  丁英涛

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明公开了一种具有柔性连接结构的电热MEMS微动平台，包括引线电极、衬底、两种或多种材料层结构的电热驱动臂、可动结构、衬底端连接结构和可动端连接结构；所述电热驱动臂的一端通过衬底端连接结构连接到衬底，另一端通过所述可动端连接结构连接到所述可动结构；所述衬底端连接结构和/或所述可动端连接结构为柔性连接结构；所述柔性连接结构主要由有机聚合物材料构成；所述电热驱动臂中包含内置电阻；所述衬底端连接结构包含导电引线，将所述内置电阻与所述衬底上的引线电极相连；所述可动结构可以是一个微平台、一个透镜、一个反射镜面、一个框架等。本发明能够显著提高电热MEMS微动平台的抗冲击能力。

公开(公告)号：CN114019674A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111167883.1

申请日：2021-09-29

Applicant: 北京理工大学 ,  无锡微奥科技有限公司

Inventor： 谢会开 ,  肖磊 ,  王鹏 ,  丁英涛

IPC: G02B26/02

Abstract: 本公开提供了一种透射式光开关、阵列透射式光开关及电子设备；其中，所述透射式光开关包括基底，驱动装置以及静电吸合装置；所述基底形成有透光区域；所述驱动装置的一端与所述基底连接，所述驱动装置悬置于所述基底上，所述驱动装置被构造为能够发生弯曲形变和展平；所述静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，所述第一静电电极位于所述基底上，且为透光材料，所述第二静电电极位于所述驱动装置上；在所述驱动装置展平的状态下，所述驱动装置能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上，以关闭所述透光区域。本公开的方案为光开关提供了一种新的驱动方式，能够明显降低驱动电压和功耗，同时降低了维持光开关关闭的能耗。

公开(公告)号：CN107731744A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710944258.0

申请日：2017-10-12

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 丁英涛 ,  高巍 ,  张子岳 ,  肖磊

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481

Abstract: 本发明涉及一种空气绝缘低阻硅柱垂直通孔结构及其制造方法，属于微电子集成技术领域。该结构主要包括：嵌入在衬底中的低阻硅柱；包围低阻硅柱的环形空气深槽。制造方法主要包括：在低阻硅衬底上沉积绝缘层；在绝缘层上刻蚀出铝硅接触区域；正面沉积Al/Ti层；光刻互连线图案并电镀金属；去除互连线之外的Al/Ti层；背部减薄；深硅刻蚀形成环形空气间隙。本发明采用空气(介电常数为1)作为绝缘层，低阻硅柱作为中心导电体，极大地降低了低阻硅柱垂直通孔与衬底之间的寄生电容，降低了工艺难度，提高了器件结构的可靠性，是一种超低寄生电容、低成本、高密度的垂直通孔结构，广泛适用于三维集成封装中的转接板应用，具有通用性。