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公开(公告)号：CN114421112B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN114421112A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120074418A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510153749.8
申请日：2025-02-12
Applicant: 北京理工大学 , 中国电子科技集团公司信息科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种W波段反射型衰减器，包括第一、第二单端衰减器、输入电感器、输出电感器，所述第一单端衰减器与第二单端衰减器构建为差分结构；第一单端衰减器包括第一正交耦合器、第一负载网络、第二负载网络；第二单端衰减器包括第二正交耦合器、第三负载网络、第四负载网络；所述第一、第二、第三、第四负载网络，包括可调电容、串联电阻和数控开关阵列，所述可调电容的第一端接入输入信号，其第二端接地连接；所述串联电阻的第一端接入输入信号并与可调电容的第一端连接，串联电阻的第二端连接数控开关阵列；所述数控开关阵列包括多路并联的控制开关支路。应用本发明，通过组合控制多路并联的控制开关支路可以实现多个档位的衰减控制。
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公开(公告)号：CN113114420B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110365326.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: H04L1/00 , H04B17/391 , H04B7/06
Abstract: 本发明涉及一种动态场景下的中继通信数据传输方法，属于协作通信及数据传输技术领域。所述方法，包括：计算S‑R链路及R‑D链路的平均加权距离dA和dB；若dA>dB则建立改进的一阶统计模型；否则建立改进的二阶统计模型；据σnd2与σne2差及PTmax的大小，选择AF或DF：若基于改进的一阶统计模型，A1)在强不确定性窃听用户信道下，σnd2‑σne2 8dBmW选择DF，反之选AF；若基于改进的二阶统计模型，A)在强不确定性窃听用户信道下，若σnd2 10dBmW选择DF，反之选AF。所述方法更适用于动态场景，保障获得最大保密速率的同时，极大降低复杂度。
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公开(公告)号：CN113114420A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110365326.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: H04L1/00 , H04B17/391 , H04B7/06
Abstract: 本发明涉及一种动态场景下的中继通信数据传输方法，属于协作通信及数据传输技术领域。所述方法，包括：计算S‑R链路及R‑D链路的平均加权距离dA和dB；若dA>dB则建立改进的一阶统计模型；否则建立改进的二阶统计模型；据σnd2与σne2差及PTmax的大小，选择AF或DF：若基于改进的一阶统计模型，A1)在强不确定性窃听用户信道下，σnd2‑σne2 8dBmW选择DF，反之选AF；若基于改进的二阶统计模型，A)在强不确定性窃听用户信道下，若σnd2 10dBmW选择DF，反之选AF。所述方法更适用于动态场景，保障获得最大保密速率的同时，极大降低复杂度。
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公开(公告)号：CN119210353A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211565580.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明属于射频集成电路和混频器技术领域，涉及一种采用二阶交调校准的CMOS零中频混频器。所述混频器改进吉尔伯特单元的结构，包括吉尔伯特单元、一对PMOS管及校准电路；一对PMOS管用于降低闪烁失真，所述校准电路位于吉尔伯特单元负载及输出端，通过调制负载电阻大小校准二阶交调，将多种影响二阶交调失真的因素通过调制负载电阻进行等价替换，将一侧负载电阻使用一个k‑bit电阻调制模块来替代，k位于3到10之间。所述混频器解决了多因素导致双平衡混频器电路失配问题并有效降低了二阶交调失真；降低了闪烁噪声、提高射频端与本振端的隔离度、减小本振泄漏以及直流失调，同时也简化了电路操作难度，有效提升了电路性能。
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公开(公告)号：CN115425950A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210981258.9
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03K3/84
Abstract: 本发明涉及一种基于热噪声熵源的三值真随机数发生器，属于密码学、信息安全以及集成电路设计技术领域。所述发生器中熵源电路包括两个PMOS管和两个电阻；熵识别电路包括两个差分放大器、两个比较器、两个反相器、两个触发器；后处理电路包括异或门、第3、第4PMOS管、两个NMOS管和第3电阻。两个电阻把热噪声传给两个差分放大器，差分放大器再传给比较器，两个比较器把结果通过反相器传递给D触发器，D触发器传给异或门和两个NMOS管的栅极，异或门把结果取非后传给第3、第4PMOS管的栅极，控制第3电阻输出3值时序序列。所述发生器采用自然熵源生成三值真随机数，更适用于复杂加密系统且提高了随机数的随机性。
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