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公开(公告)号：CN114257212B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN114421112A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114421112B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070705B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510406728.9
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种高集成度片上混合型差分正交耦合器，属于射频集成电路领域。针对传统的正交耦合器芯片面积大且多为单端电路的问题，本发明提供一种片上混合型差分正交耦合器，包括设置在芯片第n金属层的用于连接差分输入端和差分直通端的差分直通螺旋线圈，交叉部分通过芯片第n、n‑1和n‑2金属层的跳线连接；设置在芯片第n‑1金属层的用于连接差分耦合端和差分隔离端的差分耦合螺旋线圈，交叉部分通过芯片第n‑2和n‑3金属层的跳线连接；差分直通螺旋线圈中心正对差分耦合螺旋线圈中心，两螺旋线圈的内径、金属线宽、金属线间距、金属线圈数均相等。所述高集成度片上混合型差分正交耦合器适用于差分信号处理电路，占用芯片面积小，成本低。
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公开(公告)号：CN105070705A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510406728.9
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49822
Abstract: 本发明公开了一种高集成度片上混合型差分正交耦合器，属于射频集成电路领域。针对传统的正交耦合器芯片面积大且多为单端电路的问题，本发明提供一种片上混合型差分正交耦合器，包括设置在芯片第n金属层的用于连接差分输入端和差分直通端的差分直通螺旋线圈，交叉部分通过芯片第n、n-1和n-2金属层的跳线连接；设置在芯片第n-1金属层的用于连接差分耦合端和差分隔离端的差分耦合螺旋线圈，交叉部分通过芯片第n-2和n-3金属层的跳线连接；差分直通螺旋线圈中心正对差分耦合螺旋线圈中心，两螺旋线圈的内径、金属线宽、金属线间距、金属线圈数均相等。所述高集成度片上混合型差分正交耦合器适用于差分信号处理电路，占用芯片面积小，成本低。
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公开(公告)号：CN115425950A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210981258.9
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03K3/84
Abstract: 本发明涉及一种基于热噪声熵源的三值真随机数发生器，属于密码学、信息安全以及集成电路设计技术领域。所述发生器中熵源电路包括两个PMOS管和两个电阻；熵识别电路包括两个差分放大器、两个比较器、两个反相器、两个触发器；后处理电路包括异或门、第3、第4PMOS管、两个NMOS管和第3电阻。两个电阻把热噪声传给两个差分放大器，差分放大器再传给比较器，两个比较器把结果通过反相器传递给D触发器，D触发器传给异或门和两个NMOS管的栅极，异或门把结果取非后传给第3、第4PMOS管的栅极，控制第3电阻输出3值时序序列。所述发生器采用自然熵源生成三值真随机数，更适用于复杂加密系统且提高了随机数的随机性。
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公开(公告)号：CN104953975B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510406727.4
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种桥式差分无源衰减器，属于射频集成电路领域。桥式差分无源衰减器主体电路包括跨接在差分输入端正端与差分输出端正端的第一N型管、跨接在差分输入端正端与差分输出端负端的第二N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端正端的第三N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端负端的第四N型管，通过调节第一至第四N型管的源级、漏极和栅极电压来改变其导通电阻的大小，完成信号衰减的功能。源跟随器电路的输出信号作为差分输入端与差分输出端的直流偏置，使第一至第四N型管的导通电阻与阈值电压无关，减小了由于温度变化、生产工艺的偏差等因素引起的衰减器衰减量的变化。
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公开(公告)号：CN104953975A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510406727.4
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种桥式差分无源衰减器，属于射频集成电路领域。桥式差分无源衰减器主体电路包括跨接在差分输入端正端与差分输出端正端的第一N型管、跨接在差分输入端正端与差分输出端负端的第二N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端正端的第三N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端负端的第四N型管，通过调节第一至第四N型管的源级、漏极和栅极电压来改变其导通电阻的大小，完成信号衰减的功能。源跟随器电路的输出信号作为差分输入端与差分输出端的直流偏置，使第一至第四N型管的导通电阻与阈值电压无关，减小了由于温度变化、生产工艺的偏差等因素引起的衰减器衰减量的变化。
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