公开(公告)号：CN116320960A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310354785.1

申请日：2023-04-06

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 谢会开 ,  郑钦丞 ,  曹可 ,  逯遥 ,  汤跃

IPC: H04R31/00

Abstract: 本发明公开的一种电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法。所述电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器，包括基底、腔体、电磁式驱动组件、连接组件、振膜；所述基底包括基座和沿所述基座厚度方向延伸的支撑结构，所述支撑结构的四周围合从而形成所述腔体；所述连接组件用于连接所述振膜和所述支撑结构；所述振膜为悬空结构且悬设于所述腔体中；所述振膜与所述连接组件不共面；所述振膜的垂直方向的位移范围一般不超过所述空腔高度范围；所述电磁式驱动组件包括可动部件和固定部件；所述可动部件构成所述振膜的一部分，包含线圈和磁性材料中的一种；所述固定部件位于所述基底中；所述电磁式驱动组件通过电磁力带动所述振膜沿垂直方向做活塞式运动。

公开(公告)号：CN115802257A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211428123.6

申请日：2022-11-15

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 谢会开 ,  曹可 ,  郑钦丞 ,  逯遥 ,  张文超

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开的电热式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及制造方法，属于声学器件声电转换领域。所述MEMS扬声器，采用与振膜不共面的隐藏式连接结构，振膜垂直方向的位移范围在沿基座厚度方向延伸的支撑结构所形成的空腔高度范围内。隐藏式连接结构能够增大活塞运动式扬声器在工作状态下的前后腔声阻值，提高活塞运动式扬声器的输出声压级。通过优化具有上述隐藏式连接结构的活塞式扬声器的振膜结构、支撑结构等组件，能够调节前后腔之间空气缝隙的长度、横截面积和基座的开口，进一步提高声阻和输出声压级。所述制造方法采用MEMS表面微加工技术和MEMS体微加工技术，通过利用SOI、具有空腔结构的cavity‑SOI，降低加工工艺的复杂程度，提高器件可实现性。

公开(公告)号：CN115604635A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211283609.5

申请日：2022-10-20

Applicant: 北京理工大学(CN)

Inventor： 谢会开 ,  郑钦丞 ,  曹可 ,  逯遥

IPC: H04R9/06 ,  H04R9/02

Abstract: 本发明公开的大声阻活塞运动式扬声器，属于声电转换领域。本发明包括基底010、驱动组件020、振膜030、连接组件040、振动腔体050。所述连接组件040与振膜030不共面，即为隐藏式连接结构。所述驱动组件020用于驱动振膜030产生活塞式运动。所述振膜030位于腔体050内部，振膜030沿垂直方向的位移范围在沿基座厚度方向延伸的支撑结构所形成的空腔高度范围内，从而达到减少扬声器在工作过程中的空气泄露、提高声压级的目的。在具有隐藏式连接结构的活塞式扬声器基础上，通过进一步优化所述扬声器的振膜结构、支撑结构，从而控制扬声器工作过程中的空气泄露现象，进一步增大前后腔的声阻和扬声器输出声压级。