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公开(公告)号：CN115770481B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211371811.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学前沿技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备纳米薄层分离膜的方法，属于膜分离技术领域。将胺单体、亲水性表面活性剂、吸酸剂以及稳定剂溶于水中得到水相溶液，将有机相单体和添加剂溶于有机溶剂得到油相溶液；将多孔材料分散至水相溶液或者油相溶液后，再将两种溶液一一对应加入到3D打印设备的两个通道，随后按照先水相溶液后油相溶液的顺序将两种溶液交替逐层打印在基底膜表面，且最后一层打印的为油相溶液，直至打印至所需厚度，获得纳米薄层分离膜。该方法制备工艺简单，易于操作，周期短，能够高精度调控厚度，适于规模化生产，基于该方法制备的分离膜具有优异渗透通量以及高精度选择性，在膜分离技术领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115770488B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211371836.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学前沿技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于共熔盐辅助热压构筑晶态多孔材料制备薄层分离膜的方法，属于膜分离技术领域。先将卤化季铵盐和氢键给体加热搅拌形成共熔盐溶液，再与过渡金属盐、有机配体、有机溶剂充分混合后涂覆在基底膜上，随后进行热压，在基底膜上形成晶态多孔材料；将胺单体、亲水性表面活性剂、吸酸剂以及抗污稳定剂溶于水中得到水相溶液，将有机相单体和添加剂溶于有机溶剂中得到油相溶液；先将水相溶液倒在晶态多孔材料表面，再倒油相溶液，之后进行热交联反应，在晶态多孔材料表面形成聚酰胺分离层，相应地得到薄层分离膜，该方法制备过程简单，工艺条件可控，易于操作，而且制备的分离膜在液体以及气体分离方面均具有优异的性能。
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公开(公告)号：CN115770488A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211371836.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学前沿技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于共熔盐辅助热压构筑晶态多孔材料制备薄层分离膜的方法，属于膜分离技术领域。先将卤化季铵盐和氢键给体加热搅拌形成共熔盐溶液，再与过渡金属盐、有机配体、有机溶剂充分混合后涂覆在基底膜上，随后进行热压，在基底膜上形成晶态多孔材料；将胺单体、亲水性表面活性剂、吸酸剂以及抗污稳定剂溶于水中得到水相溶液，将有机相单体和添加剂溶于有机溶剂中得到油相溶液；先将水相溶液倒在晶态多孔材料表面，再倒油相溶液，之后进行热交联反应，在晶态多孔材料表面形成聚酰胺分离层，相应地得到薄层分离膜，该方法制备过程简单，工艺条件可控，易于操作，而且制备的分离膜在液体以及气体分离方面均具有优异的性能。
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公开(公告)号：CN115770481A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211371811.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学前沿技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备纳米薄层分离膜的方法，属于膜分离技术领域。将胺单体、亲水性表面活性剂、吸酸剂以及稳定剂溶于水中得到水相溶液，将有机相单体和添加剂溶于有机溶剂得到油相溶液；将多孔材料分散至水相溶液或者油相溶液后，再将两种溶液一一对应加入到3D打印设备的两个通道，随后按照先水相溶液后油相溶液的顺序将两种溶液交替逐层打印在基底膜表面，且最后一层打印的为油相溶液，直至打印至所需厚度，获得纳米薄层分离膜。该方法制备工艺简单，易于操作，周期短，能够高精度调控厚度，适于规模化生产，基于该方法制备的分离膜具有优异渗透通量以及高精度选择性，在膜分离技术领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118712079B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411188988.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118709450A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411188934.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G16C10/00 , G16C20/50 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种高塑性银基固溶体的筛选方法和装置，涉及电子封装技术领域，方法包括：获取待筛选的多种溶质，并建立每种溶质对应的银基无序固溶体模型，以及纯银模型；其中，银基无序固溶体模型为在纯银模型中替换任一种溶质得到的，每种溶质对应的银基无序固溶体模型和纯银模型具有相同的原子数和晶体结构；基于每种溶质对应的银基无序固溶体模型的第一计算结果以及纯银模型的第二计算结果的差值得到每种溶质的塑性结果，并基于每种溶质的塑性结果进行筛选，确定差值符合预设范围的溶质对应的银基无序固溶体为目标银基无序固溶体。通过本发明提供的方法，对具有高塑性的银基固溶体类型进行筛选，大大减少了实验研究的时间和金钱成本。
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公开(公告)号：CN118712079A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411188988.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。
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公开(公告)号：CN110052182B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201910349137.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔材料超高负载量混合基质膜的制备方法，属于混合基质膜技术领域。先将多孔材料粉体、熔融的高分子聚合物以及润滑剂混合均匀，然后进行热压成型，再放入洗涤液中浸泡洗涤并干燥，得到多孔材料超高负载量混合基质膜。本发明所述方法具有普适性，操作简单，原料成本低廉，具有可大型加工性，而且采用该方法制备的混合基质膜中多孔材料的负载量最高可达95％，同时具有良好的机械性能、高通量和高分离性能，在污染物处理、蛋白质分离、药物拆分以及气体分离等领域具有良好的应用。
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公开(公告)号：CN110052182A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910349137.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔材料超高负载量混合基质膜的制备方法，属于混合基质膜技术领域。先将多孔材料粉体、熔融的高分子聚合物以及润滑剂混合均匀，然后进行热压成型，再放入洗涤液中浸泡洗涤并干燥，得到多孔材料超高负载量混合基质膜。本发明所述方法具有普适性，操作简单，原料成本低廉，具有可大型加工性，而且采用该方法制备的混合基质膜中多孔材料的负载量最高可达95％，同时具有良好的机械性能、高通量和高分离性能，在污染物处理、蛋白质分离、药物拆分以及气体分离等领域具有良好的应用。
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公开(公告)号：CN112844049B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011394147.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明的一种用于膜蒸馏海水淡化的COF薄膜材料，COF薄膜上有大小不一且随深度梯度环境变化亲疏水孔道；用途为用于膜蒸馏海水淡化，该薄膜具有以下几个特点使得膜蒸馏的通量和截留率性能优异：疏水性的孔道，只允许水蒸气通过而阻挡液体通过，理论截留率达到100％；材料具有高孔隙率的特点，使得水蒸气在单位面积内拥有较多的传质通道；结晶性和取向性好，水蒸气在垂直于基底的规整贯穿孔道中的传质阻力低，从而提高通量；厚度为纳米级，大大缩短了水蒸气的传质距离从而提高通量。
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