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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115354273A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210806826.1
申请日：2022-07-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及全金属固态互连领域，具体涉及一种可用于低温固态互连技术的表面态纳米氧化银的制备方法。表面态纳米氧化银的制备方法包括：采用微波富氧等离子体处理银表面，制得表面态纳米氧化银；所述微波富氧等离子体由氧气与惰性气体通过辉光放电形成。银‑银固态互连的方法包括将所述表面态纳米氧化银与银表面或另一表面态纳米氧化银接触，向接触的界面施加1MPa以上的压力，然后在真空环境以及160～230℃下退火。本发明利用表面态纳米氧化银原位自分解机制，强化固态互连界面原子扩散与重排能力，改善在低能量输入条件下固态互连界面质量，突破了集成电路高密度封装中多级互连材料和互连技术。
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公开(公告)号：CN118712079B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411188988.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。
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公开(公告)号：CN118709450A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411188934.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G16C10/00 , G16C20/50 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种高塑性银基固溶体的筛选方法和装置，涉及电子封装技术领域，方法包括：获取待筛选的多种溶质，并建立每种溶质对应的银基无序固溶体模型，以及纯银模型；其中，银基无序固溶体模型为在纯银模型中替换任一种溶质得到的，每种溶质对应的银基无序固溶体模型和纯银模型具有相同的原子数和晶体结构；基于每种溶质对应的银基无序固溶体模型的第一计算结果以及纯银模型的第二计算结果的差值得到每种溶质的塑性结果，并基于每种溶质的塑性结果进行筛选，确定差值符合预设范围的溶质对应的银基无序固溶体为目标银基无序固溶体。通过本发明提供的方法，对具有高塑性的银基固溶体类型进行筛选，大大减少了实验研究的时间和金钱成本。
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公开(公告)号：CN115354273B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210806826.1
申请日：2022-07-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及全金属固态互连领域，具体涉及一种可用于低温固态互连技术的表面态纳米氧化银的制备方法。表面态纳米氧化银的制备方法包括：采用微波富氧等离子体处理银表面，制得表面态纳米氧化银；所述微波富氧等离子体由氧气与惰性气体通过辉光放电形成。银‑银固态互连的方法包括将所述表面态纳米氧化银与银表面或另一表面态纳米氧化银接触，向接触的界面施加1MPa以上的压力，然后在真空环境以及160～230℃下退火。本发明利用表面态纳米氧化银原位自分解机制，强化固态互连界面原子扩散与重排能力，改善在低能量输入条件下固态互连界面质量，突破了集成电路高密度封装中多级互连材料和互连技术。
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公开(公告)号：CN118712079A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411188988.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。
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