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公开(公告)号：CN113388884A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110678544.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双坩埚蒸发源，该双坩埚蒸发源的法兰组件包括真空法兰以及电极；水冷组件包括两个水冷管以及固定连接于两个水冷管顶端的水冷台；坩埚组件固定安装于水冷台的顶部，包括固定连接于水冷台的坩埚隔板、固定连接于坩埚隔板两侧的坩埚台、固定安装于每个坩埚台的坩埚台帽、置于每个坩埚台内的坩埚、以及固定连接于坩埚隔板上的坩埚罩；坩埚的加热单元与电极之间电连接，一个加热单元为电阻式加热单元，另一个加热单元为电子束加热单元；快门组件包括磁耦合旋转器、长杆以及快门。上述双坩埚蒸发源能够同时设置电阻式加热和电子束加热两种加热方式，无需频繁更换蒸发源。
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公开(公告)号：CN108624960B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810383973.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Bi4Br4的制备方法，属于红外材料技术领域。所述方法以低毒且没有挥发性的单质Bi和BiBr3为原料，并在密封的真空石英管中加热反应，再经过离心将生成的Bi4Br4单晶与未反应完的Bi分离，并在氩气或氮气的保护气氛下将所生成的Bi4Br4单晶取出。本发明所述的制备方法步骤简单，易于操作，大大降低了工艺难度，便于推广；另外，本发明所述方法制备的Bi4Br4单晶样品成相均匀、杂质含量少、迁移率较高，在室温下具有较强的红外吸收特性和灵敏的红外光电响应，在红外光电探测领域具有极大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN118814266A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410797597.0
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种α相锑烯薄膜及其制备方法，该α相锑烯薄膜为具有可调功函数特性的金属材料，属于半导体晶体管技术领域。本发明的方法中，采用超高真空分子束外延的方法制备Sb(110)纳米带，背底真空高达10‑8Pa，保证了材料的纯净度；其次由于本发明采用的Sb源无毒无害，且使用的真空外延生长装置是一个封闭系统，制备过程较为环保。
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公开(公告)号：CN108163896B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201810213767.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种二维碘化锰材料的制备方法，属于二维材料和多铁性材料技术领域。本发明采用化学气相沉积的方法制备了碘化锰薄层，薄膜结晶的状况通过反应温度、氩氢的流量以及气压来调控，使得控制较为简单；而且在反应结束后，在不破坏真空的状态下将样品转移出来，放入手套箱中，保护了样品免于水解，最大程度的保持了样品的原貌。本发明所制备的碘化锰薄层尺寸大、成分均匀、厚度控制在一百纳米以内并且保持多铁性质，在二维多铁材料领域中具有良好的应用。
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公开(公告)号：CN110616414B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910979410.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备二维BiOBr薄膜的方法，属于卤氧化铋材料的光电催化析氢和有机物降解领域。直接用化学气相沉积的方法，利用BiBr3作为Bi源和Br源，氧气作为O源，控制生长温度、气体流量和管内气压一步制备不同形貌的二维BiOBr薄膜；本发明所述方法中氧化过程在低压和真空条件下进行，保证了材料的纯净度；制备的薄膜中元素的比例通过原料和氧气的流量来调控，薄膜结晶的状况通过氧化的温度调控，使得控制较为简单；生长时采用氧气作为O源、氩气作为载气使得工艺方法更加环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110420650B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910680678.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构Bi/BiOBr复合材料的制备方法，可以得到样品尺寸大、成分均匀并且保持催化性质的核壳结构Bi/BiOBr复合材料；本发明主要通过调控气相沉积过程中的温度、氢氩气体的流量以及压强参数，控制核壳结构Bi/BiOBr复合材料的结晶情况，从而在硅片基底上得到样品尺寸大、成分均匀并且保持催化性质的核壳结构Bi/BiOBr复合材料；本发明所采用的化学气相沉积法，操作简单，条件容易控制，而且比较容易推广到工业应用中去，保证了核壳结构Bi/BiOBr复合材料的商业开发的潜力。
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公开(公告)号：CN108624960A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810383973.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Bi4Br4的制备方法，属于红外材料技术领域。所述方法以低毒且没有挥发性的单质Bi和BiBr3为原料，并在密封的真空石英管中加热反应，再经过离心将生成的Bi4Br4单晶与未反应完的Bi分离，并在氩气或氮气的保护气氛下将所生成的Bi4Br4单晶取出。本发明所述的制备方法步骤简单，易于操作，大大降低了工艺难度，便于推广；另外，本发明所述方法制备的Bi4Br4单晶样品成相均匀、杂质含量少、迁移率较高，在室温下具有较强的红外吸收特性和灵敏的红外光电响应，在红外光电探测领域具有极大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN110616414A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910979410.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备二维BiOBr薄膜的方法，属于卤氧化铋材料的光电催化析氢和有机物降解领域。直接用化学气相沉积的方法，利用BiBr3作为Bi源和Br源，氧气作为O源，控制生长温度、气体流量和管内气压一步制备不同形貌的二维BiOBr薄膜；本发明所述方法中氧化过程在低压和真空条件下进行，保证了材料的纯净度；制备的薄膜中元素的比例通过原料和氧气的流量来调控，薄膜结晶的状况通过氧化的温度调控，使得控制较为简单；生长时采用氧气作为O源、氩气作为载气使得工艺方法更加环保。
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公开(公告)号：CN108163896A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810213767.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种二维碘化锰材料的制备方法，属于二维材料和多铁性材料技术领域。本发明采用化学气相沉积的方法制备了碘化锰薄层，薄膜结晶的状况通过反应温度、氩氢的流量以及气压来调控，使得控制较为简单；而且在反应结束后，在不破坏真空的状态下将样品转移出来，放入手套箱中，保护了样品免于水解，最大程度的保持了样品的原貌。本发明所制备的碘化锰薄层尺寸大、成分均匀、厚度控制在一百纳米以内并且保持多铁性质，在二维多铁材料领域中具有良好的应用。
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公开(公告)号：CN113445124B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110708350.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Bi4Br4薄膜及其制备方法，属于半导体材料和拓扑材料领域。所述薄膜为α相Bi4Br4。采用分子束外延生长技术，在基底上生长Bi薄膜；所述基底为过渡金属硫族化合物单晶(001)解理面或HOPG(0001)解理面；将BiBr3采用高温裂解的方式在Bi薄膜的表面上沉积Bi和Br，当沉积在Bi薄膜表面上的薄膜的厚度是Bi薄膜厚度的4～5倍时，沉积结束；当基底为HOPG(0001)解理面时，基底上的薄膜为Bi4Br4薄膜；当基底为过渡金属硫族化合物单晶(001)解理面时，基底上的薄膜为BiBr薄膜，对其进行退火处理，得到Bi4Br4薄膜。所述Bi4Br4薄膜品质良好，制备方法简单。
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