公开(公告)号：CN118814266A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410797597.0

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 肖文德 ,  肖佩瑶 ,  李骥 ,  乔璐 ,  姚裕贵

IPC: C30B29/02 ,  C30B23/02 ,  B22F1/054 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种α相锑烯薄膜及其制备方法，该α相锑烯薄膜为具有可调功函数特性的金属材料，属于半导体晶体管技术领域。本发明的方法中，采用超高真空分子束外延的方法制备Sb(110)纳米带，背底真空高达10‑8Pa，保证了材料的纯净度；其次由于本发明采用的Sb源无毒无害，且使用的真空外延生长装置是一个封闭系统，制备过程较为环保。

公开(公告)号：CN113388884A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110678544.3

申请日：2021-06-18

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 肖文德 ,  乔璐 ,  李骥 ,  彭祥麟 ,  姚裕贵

IPC: C30B23/06 ,  C23C14/26 ,  C23C14/30

Abstract: 本发明公开了一种双坩埚蒸发源，该双坩埚蒸发源的法兰组件包括真空法兰以及电极；水冷组件包括两个水冷管以及固定连接于两个水冷管顶端的水冷台；坩埚组件固定安装于水冷台的顶部，包括固定连接于水冷台的坩埚隔板、固定连接于坩埚隔板两侧的坩埚台、固定安装于每个坩埚台的坩埚台帽、置于每个坩埚台内的坩埚、以及固定连接于坩埚隔板上的坩埚罩；坩埚的加热单元与电极之间电连接，一个加热单元为电阻式加热单元，另一个加热单元为电子束加热单元；快门组件包括磁耦合旋转器、长杆以及快门。上述双坩埚蒸发源能够同时设置电阻式加热和电子束加热两种加热方式，无需频繁更换蒸发源。

公开(公告)号：CN216639707U

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202123109582.1

申请日：2021-12-13

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学长三角研究院(嘉兴)

Inventor： 刘玉翔 ,  肖文德 ,  乔璐 ,  李骥 ,  张旭 ,  彭祥麟 ,  肖佩瑶 ,  韩俊峰 ,  姚裕贵

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/14

Abstract: 本实用新型公开了一种四坩埚蒸发源，包括：法兰组件、水冷组件、坩埚组件以及快门组件，法兰组件包括：真空法兰和电极法兰，水冷组件和快门组件均贯穿所述真空法兰设置，坩埚组件固定安装在水冷组件顶部；坩埚组件包括：坩埚隔板、四个坩埚台、四个坩埚台帽、四个坩埚、坩埚罩以及四个加热单元；坩埚台的外圆周加工有一环形真空空腔；每个加热单元设置在对应坩埚台的侧壁内部；坩埚隔板与所述坩埚罩围成四个独立空间，每个独立空间中容置一个坩埚台；本实用新型隔热效果好，便于控制温度，提高加热效率，在双坩埚蒸发源的基础上，增加两个蒸发源，从而提高分子束外延设备的容量和使用效率、节省成本。