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公开(公告)号：CN109262377B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201811358652.7
申请日：2018-11-15
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺，其包括：步骤1，清洁CsI(TI)晶体；步骤2，吹干CsI(TI)晶体；步骤3，将CsI(TI)晶体放入等离子体气体加工设备的反应室中；步骤4，利用等离子体气体加工设备对CsI(TI)晶体加工处理，其包括：步骤41，往等离子体气体加工设备输入氦气、六氟化硫与四氟化碳的混合气体，氦气和混合气体形成等离子体气体；步骤42，将等离子体气体喷射到CsI(TI)晶体的表面；步骤5，返回步骤4，循环加工处理已加工处理过的CsI(TI)晶体；步骤6，干燥处理经由步骤5处理好的CsI(TI)晶体放入干燥箱。本发明能够在保持面形精度与表面粗糙度的前提下，高效稳定地去除CsI(TI)晶体表面材料，钝化表面划痕，从而有效地提升CsI(TI)晶体的抗辐照损伤能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108007380A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711183639.8
申请日：2017-11-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01B11/24 , G01B11/255
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B11/255
Abstract: 本发明公开了一种球面面形误差和曲率半径误差在线检测装置和方法，该装置包括：样板、待测件、球面LED光源、干涉条纹采集单元、球面面形误差和曲率半径误差检测单元和控制单元；球面LED光源的正面为照射面且相对样板设置，用于提供多种波长的均匀照明光，并以其中至少两种被选定的波长的照明光源分时逐次照射样板和待测件；干涉条纹采集单元用于采集和输出等厚干涉条纹图像；球面面形误差和曲率半径误差检测单元用于获得不同波长照明下等厚干涉条纹图像上同一点的强度变化，得到该点的绝对光程差，并以此类推确定待测件的被测面的上所有点的绝对光程差，进而得到待测件的被测面的面形误差和曲率半径误差。本发明能够实现客观、自动化、高精度、低成本的球面面形误差和曲率半径误差的检测。
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公开(公告)号：CN107741205A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711183671.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01B11/24
CPC classification number: G01B11/2441
Abstract: 本发明公开了一种基于样板干涉法的平面面形误差在线检测装置和方法，该装置包括：样板、待测件、平面LED光源、干涉条纹采集单元、平面面形误差检测单元和控制单元；平面LED光源的正面为照射面且相对样板设置；平面LED光源用于提供多种波长的均匀照明光，并以其中至少两种被选定的波长的照明光源分时逐次照射样板和待测件；干涉条纹采集单元用于采集和输出等厚干涉条纹图像；平面面形误差检测单元用于获得不同波长照明下等厚干涉条纹图像上同一点的强度变化，得到该点的绝对光程差，并以此类推确定被测面上所有点的绝对光程差而得到待测件的被测面的面形误差。本发明能够实现客观、自动化、高精度、低成本的平面光学元件面形误差的检测。
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公开(公告)号：CN108007380B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711183639.8
申请日：2017-11-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01B11/24 , G01B11/255
Abstract: 本发明公开了一种球面面形误差和曲率半径误差在线检测装置和方法，该装置包括：样板、待测件、球面LED光源、干涉条纹采集单元、球面面形误差和曲率半径误差检测单元和控制单元；球面LED光源的正面为照射面且相对样板设置，用于提供多种波长的均匀照明光，并以其中至少两种被选定的波长的照明光源分时逐次照射样板和待测件；干涉条纹采集单元用于采集和输出等厚干涉条纹图像；球面面形误差和曲率半径误差检测单元用于获得不同波长照明下等厚干涉条纹图像上同一点的强度变化，得到该点的绝对光程差，并以此类推确定待测件的被测面的上所有点的绝对光程差，进而得到待测件的被测面的面形误差和曲率半径误差。本发明能够实现客观、自动化、高精度、低成本的球面面形误差和曲率半径误差的检测。
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公开(公告)号：CN107741205B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711183671.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种基于样板干涉法的平面面形误差在线检测装置和方法，该装置包括：样板、待测件、平面LED光源、干涉条纹采集单元、平面面形误差检测单元和控制单元；平面LED光源的正面为照射面且相对样板设置；平面LED光源用于提供多种波长的均匀照明光，并以其中至少两种被选定的波长的照明光源分时逐次照射样板和待测件；干涉条纹采集单元用于采集和输出等厚干涉条纹图像；平面面形误差检测单元用于获得不同波长照明下等厚干涉条纹图像上同一点的强度变化，得到该点的绝对光程差，并以此类推确定被测面上所有点的绝对光程差而得到待测件的被测面的面形误差。本发明能够实现客观、自动化、高精度、低成本的平面光学元件面形误差的检测。
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公开(公告)号：CN109262377A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811358652.7
申请日：2018-11-15
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺，其包括：步骤1，清洁CsI(TI)晶体；步骤2，吹干CsI(TI)晶体；步骤3，将CsI(TI)晶体放入离子体加工设备的反应室中；步骤4，利用等离子体气体加工设备对CsI(TI)晶体加工处理，其包括：步骤41，往离子体加工设备输入氦气、六氟化硫与四氟化碳的混合气体，氦气和混合气体形成等离子体气体；步骤42，将等离子体气体喷射到CsI(TI)晶体的表面；步骤5，返回步骤4，循环加工处理已加工处理过的CsI(TI)晶体；步骤6，干燥处理经由步骤5处理好的CsI(TI)晶体放入干燥箱。本发明能够在保持面形精度与表面粗糙度的前提下，高效稳定地去除CsI(TI)晶体表面材料，钝化表面划痕，从而有效地提升CsI(TI)晶体的抗辐照损伤能力。
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