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公开(公告)号：CN114491404A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210108115.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明公开了应用于计算设备的混合精度SpMV优化系统及方法，本系统包括：获取模块、第一处理模块、第二处理模块；所述获取模块用于读入稀疏矩阵到计算设备；所述第一处理模块基于稀疏矩阵中非零元素的浮点数精度，将所述稀疏矩阵划分为不同精度的子矩阵；所述第二处理模块用于计算不同精度的所述子矩阵与向量的乘法，得到混合精度SpMV计算结果。本发明利用混合精度降低SpMV的计算开销，提高访存效率，具有较高的理论意义和实际应用价值。
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公开(公告)号：CN113794709A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111053106.4
申请日：2021-09-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于二值稀疏矩阵的混合编码方法，包括：计算稀疏矩阵缩略图中连通域的数量，初步确定可能的稠密区域具体位置；根据每个稠密区域中黑色像素数占该区域边界矩形的比值判定稠密区域形状；将稀疏矩阵缩略图映射回原稀疏矩阵中，根据每个特定形状的稠密区域子矩阵中非零元占比，得到最终的稠密子矩阵；对稠密子矩阵进行反向编码；将原稀疏矩阵中其余零散分布的非零元组成一个超稀疏剩余子矩阵，并采用正向编码；将反向编码和正向编码结果求和，得到稀疏矩阵向量乘计算结果。采用混合编码方式充分压缩了稀疏矩阵的行列索引，减少了主机端和设备端的数据传输量。
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公开(公告)号：CN108763092A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810553230.9
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明涉及一种基于交叉验证的代码缺陷检测方法及装置，选择多个代码缺陷检测工具，对被检测代码进行检测，生成第一检测结果；获取每个代码缺陷检测工具对与所述被检测代码相似的N个测试用例的准确率；根据所述准确率，对所述第一检测结果进行加权求和，生成第二检测结果；当所述第二检测结果大于预设阈值时，确定所述被检测代码存在缺陷。本发明提供的方法与现有的使用单个工具进行缺陷检测的方法相比，本发明基于被测代码与测试用例之间的相似性，并根据各个工具在已知测试用例上的准确率，对各个工具检测被测代码的测试结果进行综合计算和评判，具有较高的准确率，可以减少误报，提高代码缺陷检测和代码审核的工作效率。
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公开(公告)号：CN100481032C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710065211.3
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明是一种防止USB接口泄露数据的基于双USB密钥设备的USB接口锁，包括一对USB密钥设备，一组USB接口加锁解锁控制程序。加锁解锁控制程序自动识别插入计算机的USB设备，限制计算机访问USB移动存储设备；加锁解锁控制程序自动识别插入计算机的一对USB密钥设备，在完成USB密钥设备验证和用户身份验证后，解开对USB移动存储设备的访问限制。本发明针对USB接口泄露数据问题给出了成本低，灵活，有效的解决方法。
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公开(公告)号：CN101038571A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710098503.7
申请日：2007-04-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F13/18
Abstract: 本发明公开了一种基于块传输的多端口存储控制器。所述多端口存储控制器由检测地址选择单元、冲突检测单元、多个端口对应的冲突处理单元、多个端口对应的选择器和多个模块选择器组成。所述多端口存储控制器接收来自多个独立端口的块传输请求，并对请求进行冲突检测和冲突处理，之后控制多路请求以同步并行方式无冲突访问存储器。利用所述多端口存储控制器和多个现有单端口存储芯片构成的多端口存储器，支持来自多个端口同步并行的块传输，与其他现有多端口存储器相比该多端口存储器具有成本低、可扩充性好、维护性能好及共享率高的特点。该多端口存储器可以用作多机系统中各结点间的数据通道，提供高速、低延迟的通信。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN119890029A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411727075.X
申请日：2024-11-28
Applicant: 长春理工大学 , 北京理工大学 , 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法，属于SiC表面抛光技术领域。本发明的原位生长有量子点牺牲层的SiC材料的制备方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液；将所述CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有量子点牺牲层的SiC材料。本发明提出了一种基于量子点耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法，将量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，不仅可以有效降低牺牲层厚度，显著改善SiC表面的平整度，也可以实现良好的荧光标记效果。本发明制得的CsPbBr3量子点具有极小的纳米尺寸，能够深入填充SiC晶圆表面的微裂纹和微纳划痕，与SiC晶圆表面的微裂痕完全耦合，实现对缺陷的精准填补。
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公开(公告)号：CN119811980A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411726662.7
申请日：2024-11-28
Applicant: 长春理工大学 , 北京理工大学 , 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01L21/02 , B82Y40/00 , C01G21/16 , C01G21/00 , C01B32/956 , B24B29/02 , B24B49/00 , C09K11/66 , C09K11/02 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法，属于牺牲层材料技术领域。本发明的SiC材料表面原位生长CsPbBr3量子点牺牲层的方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液；在所述CsPbBr3前驱体溶液中掺杂轻金属离子，得到轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液；将所述轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料。本发明将CsPbBr3量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，通过轻金属离子掺杂提高了其量子点的发光性能，同时增强了量子点层与SiC晶圆的界面结合力。
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公开(公告)号：CN113254342B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110625046.2
申请日：2021-06-04
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开了一种基于动态二进制插桩的可回溯仿真方法及系统，该方法包括：通过动态二进制插桩方法对正在运行的仿真程序和底层操作系统之间引入虚拟文件层；根据动态二进制插桩方法拦截目标函数参数，对仿真系统模型组件的各个接口加以拦截，以获得仿真事件状态；根据仿真事件状态，构建基于事件的检查点。该方法利用动态二进制插桩技术，在不修改仿真程序源代码的情况下，插入虚拟文件层拦截所有文件操作，在内存中的缓冲区执行，避免了内存和磁盘文件在重启检查点时的不一致问题。此外，由动态插桩引入的额外代码和原程序执行在同一个地址空间中，通过拦截仿真模型组件相关接口，基于获取的仿真事件状态信息设置检查点，具有更强的实用性。
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公开(公告)号：CN116405426A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211143865.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于同步哈密顿环的TriBA‑cNoC死锁避免方法，属于计算机众核处理器技术领域。本方法解决了TriBA‑cNoC节点因共享存储转发缓冲区以及共享物理传输通道导致死锁的技术问题，基于TriBA‑cNoC的拓扑特征，能够避免当前众核处理器普遍存在的通用性受限中，由于数据传输方向的随机性极易导致通信死锁，通常只能由用户提供面向应用的静态路由，或只能利用部分物理通道构成同步环网。本方法避免了握手信号的使用，不需前方节点反馈其缓冲区占用状况信息，进而缩小了时间代价，提高了通信性能，为TriBA‑cNoC以及基于该片上网络的多/众核处理器的通用性奠定基础。
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