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公开(公告)号：CN117819983A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014240.0
申请日：2024-01-05
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种四元硼化物高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷领域。本发明将HfO2、ZrO2、Ta2O5、TiO2、B和溶剂混合进行湿法球磨，得到浆料；将所述浆料依次进行真空烧结和放电等离子烧结，得到所述四元硼化物高熵陶瓷。本发明综合考虑了氧化物熔点、致密度、热膨胀系数后，设计得到Hf、Zr、Ta、Ti四种材料作为金属组元，合成四元硼化物高熵陶瓷；通过真空烧结和放电等离子烧结两步烧结，得到氧含量更低，致密度更高的四元硼化物高熵陶瓷；硼作为还原剂，相比于B4C和C作硼源和C源时有更少的杂碳引入，得到的高熵陶瓷更纯，同时不会有杂碳氧化过程中气化导致缺陷，得到了抗氧化性能优异的四元硼化物高熵陶瓷。
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