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公开(公告)号：CN106629815A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611220809.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: C01G3/12 , C01G7/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/41 , C01P2004/62 , C01P2004/80 , C01P2006/40
Abstract: 本发明提供了一种具有中空微反应腔结构的半导体基异质纳米晶及其制备方法。利用Na2S水溶液原位将实心的Cu2O纳米晶部分硫化或将实心的Au@Cu2O核壳纳米晶的Cu2O壳层硫化，使实心Cu2O纳米晶或Au@Cu2O核壳纳米晶，转变为具有中空微反应腔结构的Cu2O/Cu2S或Au/Cu2S异质纳米晶并形貌保持；再利用阳离子反应将Cu2S外层转化为其他硫族半导体，获得具有中空微反应腔结构的半导体基异质纳米晶，其中微腔内核为Cu2O或Au纳米晶，外层为硫化物半导体，优选为CdS、ZnS、Cu2S、SnS。本发明方法简单，内核和外层材料组成、形貌可调，为异相催化、催化有机合成、药物缓释等提供微反应腔。
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公开(公告)号：CN110126257A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910401853.9
申请日：2019-05-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: B29C64/106 , B29C64/209 , B29C64/314 , B29C64/393 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明涉及一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，属于荧光聚集，荧光成像，光电探测领域。本发明的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，通过将半导体纳米晶溶液与柔性基质充分混合进行3D打印技术成型，可以得到传统技术难以实现的柔性基质半导体纳米晶器件，并且可以得到传统技术难以实现的各向异性器件，可以定性定量地控制某一点或某一面的光电性能的强弱，大大提高了半导体纳米晶器件的性能，并且通过增材制造的方式可以大量节约原材料，使用少量的半导体纳米晶就可以保证器件性能，节约材料并且高效。
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公开(公告)号：CN118080849A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410046909.4
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu@Au3Cu@CdS核壳纳米晶及其制备方法和应用，将预定量的Au前驱体以热注入的方式与Cu纳米晶在油相体系中充分混合，使铜纳米晶表面形成原子级厚度Au3Cu壳层；再加入Ag+与S2‑溶液充分搅拌，利用油胺的还原性使纳米晶表面形成连续的Ag2S壳层，进而通过离子交换法将Ag2S转换为CdS，以得到Cu@Au3Cu@CdS核壳纳米晶。本发明的Cu@Au3Cu@CdS核壳纳米晶能进行高选择性的CO2还原，其CO选择性可达到99.99％，具有优异的催化稳定性，为光催化二氧化碳还原提供了新的催化材料，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110126257B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910401853.9
申请日：2019-05-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: B29C64/106 , B29C64/209 , B29C64/314 , B29C64/393 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/10 , B33Y50/02 , B33Y70/10
Abstract: 本发明涉及一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，属于荧光聚集，荧光成像，光电探测领域。本发明的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，通过将半导体纳米晶溶液与柔性基质充分混合进行3D打印技术成型，可以得到传统技术难以实现的柔性基质半导体纳米晶器件，并且可以得到传统技术难以实现的各向异性器件，可以定性定量地控制某一点或某一面的光电性能的强弱，大大提高了半导体纳米晶器件的性能，并且通过增材制造的方式可以大量节约原材料，使用少量的半导体纳米晶就可以保证器件性能，节约材料并且高效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106629815B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201611220809.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有中空微反应腔结构的半导体基异质纳米晶及其制备方法。利用Na2S水溶液原位将实心的Cu2O纳米晶部分硫化或将实心的Au@Cu2O核壳纳米晶的Cu2O壳层硫化，使实心Cu2O纳米晶或Au@Cu2O核壳纳米晶，转变为具有中空微反应腔结构的Cu2O/Cu2S或Au/Cu2S异质纳米晶并形貌保持；再利用阳离子反应将Cu2S外层转化为其他硫族半导体，获得具有中空微反应腔结构的半导体基异质纳米晶，其中微腔内核为Cu2O或Au纳米晶，外层为硫化物半导体，优选为CdS、ZnS、Cu2S、SnS。本发明方法简单，内核和外层材料组成、形貌可调，为异相催化、催化有机合成、药物缓释等提供微反应腔。
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公开(公告)号：CN114990567A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210523582.6
申请日：2022-05-13
Applicant: 北京理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/054 , C25B11/065 , C25B11/091
Abstract: 本发明涉及碳基载体负载的硫配位钴单原子催化剂的制备方法及应用，属于新能源材料技术领域。该方法首先将壳聚糖、二氯化钴、烯丙基硫脲、二氧化硅纳米球以及助溶剂冰醋酸充分分散在溶剂中，使金属离子在生物质分子上吸附；通过旋转蒸发等手段对反应体系进行干燥，让锚定了金属前驱体的壳聚糖在二氧化硅纳米球上均匀包覆或与其充分结合；经过热解过程后，通过刻蚀将模板剂去除从而得到稳定的Co金属单原子催化剂。本发明中的催化剂在电催化析氢反应中表现出小的塔菲尔斜率(60mV dec‑1)，低的过电位(η10＝114mV)以及十足的稳定性(稳定循环10000圈之后性能基本不衰减)，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119709184A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411751989.X
申请日：2024-12-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种基于微反应器的胶体掺杂量子点制备方法。所述制备方法包括以下步骤：将硫化亚铜纳米晶或硫化银纳米晶超声分散于甲苯溶液和四水硝酸镉的甲醇溶液中，作为流相A；将三丁基膦超声分散在甲苯中，作为流相B；将流相A与流相B以相同的流速经三通混合后进入微反应器反应区反应，得到Cu掺杂CdS量子点或Ag掺杂CdS量子点。通过上述方法合成的掺杂量子点具有均匀的尺寸，优异的荧光特性，能够显著提高胶体掺杂量子点的合成效率。
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公开(公告)号：CN117943057A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410042875.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及化学合成材料及催化领域，尤其涉及一种金属‑无定形结构硫属化合物的核壳纳米晶及其制备方法和应用。所述制备方法，包括以下步骤：(1)通过种子生长法合成Au纳米棒；(2)将银包覆在Au表面，外延生长银壳层纳米晶；(3)将银壳层纳米晶硫化，并进行水热阳离子交换，得到核壳结构纳米晶。本发明所述金属‑无定形结构硫属化合物的核壳纳米晶中，一定程度的无定形表面有利于吸附反应底物，促进光催化二氧化碳还原反应进行。其气固相光催化二氧化碳还原性能优异，无需光敏剂和牺牲剂即可起到良好的效果。
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公开(公告)号：CN114990567B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210523582.6
申请日：2022-05-13
Applicant: 北京理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/054 , C25B11/065 , C25B11/091
Abstract: 本发明涉及碳基载体负载的硫配位钴单原子催化剂的制备方法及应用，属于新能源材料技术领域。该方法首先将壳聚糖、二氯化钴、烯丙基硫脲、二氧化硅纳米球以及助溶剂冰醋酸充分分散在溶剂中，使金属离子在生物质分子上吸附；通过旋转蒸发等手段对反应体系进行干燥，让锚定了金属前驱体的壳聚糖在二氧化硅纳米球上均匀包覆或与其充分结合；经过热解过程后，通过刻蚀将模板剂去除从而得到稳定的Co金属单原子催化剂。本发明中的催化剂在电催化析氢反应中表现出小的塔菲尔斜率(60mV dec‑1)，低的过电位(η10＝114mV)以及十足的稳定性(稳定循环10000圈之后性能基本不衰减)，具有广阔的应用前景。
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