公开(公告)号：CN119224027B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411718949.5

申请日：2024-11-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王珊珊 ,  杜建新 ,  朱城 ,  彭绍春 ,  于晓勇 ,  高培峰 ,  张鹏翔 ,  张雨桐 ,  蒋浩然

IPC: G01N23/2208 ,  G01N23/2273

Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法，属于表界面分析领域，该测量方法包括：标定步骤、测试步骤和计算步骤。该方法在主超高真空室中搭载真空紫外光电子能谱系统和反光电子能谱系统，通过将紫外光电子能谱技术和反光电子能谱技术相结合，不仅能获得相对于费米能级的二次电子截止边能量位置以及功函数，还可以获得导带底位置或获得最低未占据分子轨道位置，而且通过计算进一步获得半导体薄膜材料的第一电子亲和势数值，该测量方法便捷、操作过程简单、准确度高、普适性强。