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公开(公告)号：CN105253911A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510665943.0
申请日：2015-10-15
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: C01G21/21 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/64
Abstract: 本发明涉及一种利用硫酸盐还原菌（SRB，Clostridiaceae sp．）制备硫化铅纳米材料的方法，并通过调节溶液中分散剂聚乙二醇2000（PEG 2000）的量制备了三种不同形貌的立方晶系硫化铅纳米材料。铅源是高浓度的含铅废水。加入1-4mM的PEG2000时，产物为PbS纳米柱，晶粒大小为50×50×100nm；加入9-12mM的PEG2000时，产物为PbS纳米片，晶片厚度约为10nm；加入17-20mM的PEG2000时，产物为PbS纳米粒，颗粒直径约为60nm；本发明目解决现有硫化铅材料制备方法存在的成本高、能耗大和环境不友好等方面的问题，并提出一种新的调控方法，即在单相体系中加入无毒高分子分散剂控制纳米颗粒的形貌。铅源是高浓度的含铅废水，同时为废水的资源化利用提供了一条绿色思路。
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公开(公告)号：CN104911214A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510232382.5
申请日：2015-05-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种利用亚硒酸盐还原菌(Pantoea agglomerans)制备硒化铜纳米材料的方法，并通过调节溶液中化学还原剂NaBH4的量制备了三种不同化学计量比的硒化铜纳米材料。当在工作培养基溶液中n(EDTA-Cu):n(NaBH4)≤4-8:1时，产物为Cu2Se纳米球，属于四方晶系，一次沉积粒径为20nm，二次沉积粒径为50-100nm；当溶液中n(EDTA-Cu):n(NaBH4)＞4-8:1时，产物为CuSe纳米球，属于六方晶系，粒径在100-200nm；当溶液中不含NaBH4时，产物为Cu2-xSe纳米球，属于立方晶系，粒径均匀约为80nm。本发明解决了现有硒化铜材料制备方法存在的成本高、能耗大和环境不友好等方面的问题。
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公开(公告)号：CN104911214B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510232382.5
申请日：2015-05-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种利用亚硒酸盐还原菌(Pantoea agglomerans)制备硒化铜纳米材料的方法，并通过调节溶液中化学还原剂NaBH4的量制备了三种不同化学计量比的硒化铜纳米材料。当在工作培养基溶液中n(EDTA‑Cu):n(NaBH4)≤4‑8:1时，产物为Cu2Se纳米球，属于四方晶系，一次沉积粒径为20nm，二次沉积粒径为50‑100nm；当溶液中n(EDTA‑Cu):n(NaBH4)＞4‑8:1时，产物为CuSe纳米球，属于六方晶系，粒径在100‑200nm；当溶液中不含NaBH4时，产物为Cu2‑xSe纳米球，属于立方晶系，粒径均匀约为80nm。本发明解决了现有硒化铜材料制备方法存在的成本高、能耗大和环境不友好等方面的问题。
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公开(公告)号：CN105253911B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510665943.0
申请日：2015-10-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种利用硫酸盐还原菌（SRB，Clostridiaceae sp．）制备硫化铅纳米材料的方法，并通过调节溶液中分散剂聚乙二醇2000（PEG 2000）的量制备了三种不同形貌的立方晶系硫化铅纳米材料。铅源是高浓度的含铅废水。加入1‑4mM的PEG2000时，产物为PbS纳米柱，晶粒大小为50×50×100nm；加入9‑12mM的PEG2000时，产物为PbS纳米片，晶片厚度约为10nm；加入17‑20mM的PEG2000时，产物为PbS纳米粒，颗粒直径约为60nm；本发明目解决现有硫化铅材料制备方法存在的成本高、能耗大和环境不友好等方面的问题，并提出一种新的调控方法，即在单相体系中加入无毒高分子分散剂控制纳米颗粒的形貌。铅源是高浓度的含铅废水，同时为废水的资源化利用提供了一条绿色思路。
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