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公开(公告)号：CN115483120A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210933557.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及电子元器件封装技术领域，提供一种基于激光超声耦合的微连接工艺，包括在管壳的敞口的端面上依次附着第一粘附层、种子层、第一键合层、第二键合层及抗氧化层，在半导体晶圆盖板的盖合面上依次附着第二粘附层与第三键合层；将电子元器件放入管壳内，将半导体晶圆盖板的盖合面盖设于敞口的端面上；由敞口确定激光键合路径，开启超声波发生装置以带动管壳及半导体晶圆盖板振动；控制激光发生器发射的激光在半导体晶圆盖板上沿激光键合路径移动；第一键合层与第三键合层的材质相同，第一键合层的熔点高于第二键合层的熔点；本发明通过将激光作为瞬态液相键合的热源，并将超声波介入瞬态液相键合的反应过程，保证了封装的瞬时性与可靠性。
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公开(公告)号：CN120008236A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510133119.4
申请日：2025-02-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供一种基于双极型热电制冷结构的便携式半导体极低温制冷装置。该制冷装置包括循环组件、第一制冷组件和第二制冷组件。循环组件具有循环管路，循环管路内部设有冷却介质；第一制冷组件连通设于循环管路，第一制冷组件用于对冷却介质进行降温；第二制冷组件与第一制冷组件串连于循环管路，第一制冷组件流出的冷却介质经第二制冷组件回流至循环组件；第二制冷组件具有第一热端和第一冷端，第一冷端用于制冷，第二制冷组件内部的冷却介质用于冷却第一热端。本发明解决了现有技术中的制冷设备体积较大、不便携带的问题。本发明减小了制冷装置的体积，大大提高了制冷装置的便携性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115483120B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210933557.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及电子元器件封装技术领域，提供一种基于激光超声耦合的微连接工艺，包括在管壳的敞口的端面上依次附着第一粘附层、种子层、第一键合层、第二键合层及抗氧化层，在半导体晶圆盖板的盖合面上依次附着第二粘附层与第三键合层；将电子元器件放入管壳内，将半导体晶圆盖板的盖合面盖设于敞口的端面上；由敞口确定激光键合路径，开启超声波发生装置以带动管壳及半导体晶圆盖板振动；控制激光发生器发射的激光在半导体晶圆盖板上沿激光键合路径移动；第一键合层与第三键合层的材质相同，第一键合层的熔点高于第二键合层的熔点；本发明通过将激光作为瞬态液相键合的热源，并将超声波介入瞬态液相键合的反应过程，保证了封装的瞬时性与可靠性。
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公开(公告)号：CN119035775B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411536676.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: B23K26/346 , B23K26/08 , B23K26/70 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及微连接技术领域，提供一种基于超声激光耦合作用机制的微连接系统，包括：基座、超声波振动装置、定位机构、施压机构和激光发生装置；超声波振动装置设于基座，超声波振动装置包括振动部，振动部设有第一定位槽，第一定位槽用于固定待连接样品的下基底；定位机构设于基座，定位机构包括定位台，定位台上设有第二定位槽，第二定位槽用于固定待连接样品的上盖板。施压机构包括压块，压块用于伸入第二定位槽内对上盖板施加压力；激光发生装置包括激光发射头，激光发射头用于将激光发射至第二定位槽内或第二定位槽周围的区域。本发明解决了现有技术中，采用激光为热源的微连接技术无法保障微连接焊点力学性能，无法保证封装的气密性的缺陷。
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公开(公告)号：CN119035775A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411536676.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: B23K26/346 , B23K26/08 , B23K26/70 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及微连接技术领域，提供一种基于超声激光耦合作用机制的微连接系统，包括：基座、超声波振动装置、定位机构、施压机构和激光发生装置；超声波振动装置设于基座，超声波振动装置包括振动部，振动部设有第一定位槽，第一定位槽用于固定待连接样品的下基底；定位机构设于基座，定位机构包括定位台，定位台上设有第二定位槽，第二定位槽用于固定待连接样品的上盖板。施压机构包括压块，压块用于伸入第二定位槽内对上盖板施加压力；激光发生装置包括激光发射头，激光发射头用于将激光发射至第二定位槽内或第二定位槽周围的区域。本发明解决了现有技术中，采用激光为热源的微连接技术无法保障微连接焊点力学性能，无法保证封装的气密性的缺陷。
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公开(公告)号：CN116489883A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310256305.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及陶瓷基板技术领域，尤其涉及一种基于瞬态液相键合的功能氮化硅陶瓷基板及制备方法，该方法包括在氮化硅基板的表面依次制备钛层、银种子层、电镀银层和铟镀层，在无氧铜箔的表面制备电镀银层，将无氧铜箔的镀银一侧与氮化硅基板的镀铟一侧进行银铟瞬态液相键合，然后进行覆铜基板电路图形刻蚀。本发明提供的新型氮化硅基板覆铜工艺能够制备高可靠性的高功率电子陶瓷基板，更好地用于电动汽车电源控制模块、高功率激光器、电力运输控制模块和风力发电机组等高端功率电子产品。
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公开(公告)号：CN115662955A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211216140.3
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于热电耦合的封装装置及封装方法，封装装置包括：封装组件和制冷组件；封装组件包括封装管壳和盖板，封装管壳具有容纳腔，容纳腔用于放置电子元器件，封装管壳的一端呈敞口设置，盖板盖设于敞口；封装管壳与盖板的相对面之间夹设有金属密封层，金属密封层的部分区域露出于盖板；制冷组件设于封装管壳背离盖板的一端，制冷组件能够吸收封装管壳的热量，使得封装管壳处形成温度梯度，以使封装管壳和盖板在温度梯度下通过金属密封层键合。本发明的封装装置，金属密封层在温度梯度下进行热键合，既能避免键合过程中高温对电子元器件的性能造成影响，同时能够获得组织致密、性能优良的键合接头，有利于封装管壳和盖板的牢固连接。
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