公开(公告)号：CN118039489A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410232680.3

申请日：2024-03-01

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 于黎辉 ,  叶术军 ,  郭景全 ,  赵秋彤 ,  张静静

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3065 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及集成电路领域，本发明提出了一种用于垂直型全栅晶体管沟道的纳米柱的制备方法，具体为在等离子体刻蚀腔体内将法拉第笼放置于晶圆上方，利用法拉第笼对入射离子角分布的调控，得到垂直且表面光滑的纳米柱。该方法可以在晶圆上大面积均匀制备高度、密度、直径可控的垂直纳米柱阵列，操作简单，且CMOS兼容。

公开(公告)号：CN117926174A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410082503.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 于黎辉 ,  叶术军 ,  赵秋彤 ,  郭景全 ,  张静静

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及微纳米表面领域，本发明提出了一种晶圆级纳米草的制备方法，具体为利用易于溅射的材料在等离子体中会被离子轰击产生难以去除的溅射颗粒，该颗粒在刻蚀晶圆的过程中作为微掩膜局部阻碍刻蚀的进行，进而产生纳米草。该方法可以在晶圆上大面积均匀制备高度、密度、成分可控的纳米草结构，操作简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN118039488A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410232024.3

申请日：2024-03-01

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张静静 ,  叶术军 ,  赵秋彤 ,  郭景全 ,  于黎辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出了一种垂直型全栅晶体管沟道用硅纳米柱的制备方法，具体为：在反应离子刻蚀设备极板上加入一个金属垫片，将晶圆放在垫片上，采用刻蚀气体与钝化气体组合的混合气体进行刻蚀，其中钝化气体需要保证能够产生过钝化刻蚀。该方法通过简单的垫高样品，制备出高纵横比、陡直、衬底表面光滑、尺寸(直径与高度)可控、位置精确的用于垂直型全栅晶体管的硅纳米柱，成本低廉、操作简单。