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公开(公告)号：CN105399106B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510780933.1
申请日：2015-11-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明尤其涉及一种高纯硼粉的制备方法及装置。工业硼粉直接溴化，经溴化、除溴、分馏得到高纯溴化硼，高纯溴化硼液体储存至缓冲罐内；采用高纯氩气对气路进行吹扫；气路吹扫完成后切换为高纯氢气，同时加热高纯溴化硼液体使其气化，溴化硼气体与高纯氢气混合通入还原反应炉内，溴化硼气体被氢气还原得到高纯硼粉。本发明采用工业硼粉作为原料，原料易得，成本低廉，整个过程环境友好；氢还原过程反应温度低，能耗少，且由于温度的降低，使得原料中成分不会高温分解，反应充分，生产出的高纯硼粉杂质少，纯度高，可达到99.99995％以上，以溴化硼计产率达到80％以上。本发明装置简单，设备投资少，易于实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN105399106A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510780933.1
申请日：2015-11-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明尤其涉及一种高纯硼粉的制备方法及装置。工业硼粉直接溴化，经溴化、除溴、分馏得到高纯溴化硼，高纯溴化硼液体储存至缓冲罐内；采用高纯氩气对气路进行吹扫；气路吹扫完成后切换为高纯氢气，同时加热高纯溴化硼液体使其气化，溴化硼气体与高纯氢气混合通入还原反应炉内，溴化硼气体被氢气还原得到高纯硼粉。本发明采用工业硼粉作为原料，原料易得，成本低廉，整个过程环境友好；氢还原过程反应温度低，能耗少，且由于温度的降低，使得原料中成分不会高温分解，反应充分，生产出的高纯硼粉杂质少，纯度高，可达到99.99995％以上，以溴化硼计产率达到80％以上。本发明装置简单，设备投资少，易于实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN102544454A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010602584.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种具有纳米花瓣结构的多相氢氧化镍制备方法。以镍盐为原料，以尿素作为沉淀剂，配置尿素、镍盐和掺杂金属盐的混合溶液，其中掺杂金属盐为掺杂钴盐和/或掺杂其他金属盐，钴盐中的钴：钴盐中的钴和镍盐中的镍的摩尔比例为Co/(Co+Ni)＝0～0.2；其他金属盐中的金属：其他金属盐中的金属和镍盐中的镍的摩尔比例为M/(M+Ni)＝0～0.2，该式中的M表示为其他金属盐中的金属。将反应溶液在160～200℃温度下进行水热反应。反应结束后，对产物进行分离洗涤干燥，即得到纳米花瓣状多相氢氧化镍，或者得到钴和/或掺杂其他金属掺杂的纳米花瓣状多相氢氧化镍。本方法具有操作方便，工艺简单、生产条件温和、形貌可控、环境负荷小，成本低等特点。该纳米花瓣状多相氢氧化镍具有较高的比容量和优异的大电流放电特性。
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公开(公告)号：CN101955189B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910088270.1
申请日：2009-07-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C01B35/06
Abstract: 本发明提供了一种高纯三溴化硼的制备方法及装置，将工业硼粉经酸洗后制成硼块；将化学纯的液溴进行分液提纯后与业硼块在溴化炉中经高温反应，得到含有杂质的三溴化硼液体，反应温度为600-850℃；采用高纯铝作为脱溴剂，去除三溴化硼中多余的Br2，得到白色三溴化硼气体经水冷形成白色三溴化硼液体；经分馏柱分馏，去除高沸点和低沸点杂质，得到纯度大于6N的BBr3产物，三溴化硼的分馏温度为85-120℃。本发明的制备高纯三溴化硼的装置由汽化器、溴化炉、除溴炉、收集器、分馏柱和成品贮藏罐依次通过高纯石英玻璃材质的管道连接而成。本发明生产出的三溴化硼杂质少，纯度高，可达到6N以上；原料易得，成本低廉；装置简单，设备投资少，可实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN104419378B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310403538.2
申请日：2013-09-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种铈基稀土抛光粉的掺氟方法，包括以下步骤：(1)分别配制以铈为主的稀土盐溶液、沉淀剂和氟化剂；(2)将稀土盐溶液、沉淀剂、氟化剂以一定的流速并流加入到反应釜中，通过控制沉淀剂的流速控制反应体系的pH，通过控制氟化剂的流速控制掺氟的比例，反应过程中保持一定温度，并强烈搅拌，反应结束后，陈化，浆料经过滤、清洗、干燥得到铈基稀土抛光粉前驱体；(3)将制备的铈基稀土抛光粉前驱体煅烧，随炉冷却后得到掺氟的铈基稀土抛光粉材料。本发明的方法工艺简单，操作方便，适合产业化生产。采用本发明制备的铈基稀土抛光粉，颗粒形貌为类球形，产品粒径可控；可以根据不同用途稀土抛光粉的要求，制备不同粒径和粒径分布的产品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748433B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810240370.7
申请日：2008-12-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C25C1/22
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 一种铟电解工艺中电解液的净化方法，包括：(1)向铟电解液中加入浓度为40～60vt％硫酸溶液，铟电解液中铟浓度为50-100g/L；(2)向上述混合液中滴加入0.5-1.5mol/L的可溶性钡盐；(3)过滤，得到静态净化后的铟电解液；(4)将静态净化后电解液加热蒸发至原始体积；(5)、将电解槽的相对的两侧的进出口连接管道接通，在管道上接有循环泵、海棉铟柱，其中，海棉铟柱是由石英柱内装有海棉铟所组成，将静态净化加热蒸发后的电解液放置在电解槽中在整个电解过程中用循环泵打循环，电解液通过多次循环而经过铟柱从而净化电解液，完成电解过程中电解液的动态净化。本发明的方法是静态净化与动态净化有效相结合的方法，以净化电解液，降低铟电解液中镉、锡、铅、铋、铊等杂质的含量，并简化铟电解工作量。
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公开(公告)号：CN101955189A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910088270.1
申请日：2009-07-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C01B35/06
Abstract: 本发明提供了一种高纯三溴化硼的制备方法及装置，将工业硼粉经酸洗后制成硼块；将化学纯的液溴进行分液提纯后与业硼块在溴化炉中经高温反应，得到含有杂质的三溴化硼液体，反应温度为600-850℃；采用高纯铝作为脱溴剂，去除三溴化硼中多余的Br2，得到白色三溴化硼气体经水冷形成白色三溴化硼液体；经分馏柱分馏，去除高沸点和低沸点杂质，得到纯度大于6N的BBr3产物，三溴化硼的分馏温度为85-120℃。本发明的制备高纯三溴化硼的装置由汽化器、溴化炉、除溴炉、收集器、分馏柱和成品贮藏罐依次通过高纯石英玻璃材质的管道连接而成。本发明生产出的三溴化硼杂质少，纯度高，可达到6N以上；原料易得，成本低廉；装置简单，设备投资少，可实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN1281512C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410029887.3
申请日：2004-03-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种连续性生产氢氧化镍的制备方法，特别涉及化学沉淀晶体生长法制备氢氧化镍的方法。本发明公开了一种能有效控制氢氧化镍的平均粒径及粒度分布的化学沉淀晶体生长法连续式制备球形氢氧化镍的方法：通过调整工艺参数，改变氢氧化镍的结晶条件，周期性地产生氢氧化镍新晶核(二次成核)，抑制氢氧化镍大颗粒继续长大，新晶核重新生长，可以有效控制氢氧化镍的平均粒径及粒度分布。
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公开(公告)号：CN1676466A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410029887.3
申请日：2004-03-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种连续性生产氢氧化镍的制备方法，特别涉及化学沉淀晶体生长法制备氢氧化镍的方法。本发明公开了一种能有效控制氢氧化镍的平均粒径及粒度分布的化学沉淀晶体生长法连续式制备球形氢氧化镍的方法：通过调整工艺参数，改变氢氧化镍的结晶条件，周期性地产生氢氧化镍新晶核(二次成核)，抑制氢氧化镍大颗粒继续长大，新晶核重新生长，可以有效控制氢氧化镍的平均粒径及粒度分布。
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公开(公告)号：CN1243247A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN98103055.6
申请日：1998-07-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及用电位滴定法测定电池用氢氧化镍中硫酸根的方法。本法首先用活性氧化铝交换柱将基体元素镍、钴、锌等与硫酸根进行分离,再以铅离子电化学传感器为指示电极,饱和甘汞电极为参比电极,进行电位滴定。本法分离速度快,分析的周期短,不用调节pH值,易于操作,准确度高,检测下限低。
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