-
公开(公告)号：CN105798544B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201410853498.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种钨‑铜复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域。本发明首先以具有多孔结构的钨板作为基材，采用渗铜的方法使铜渗入基材表层或内部；其次经过表面处理后在旋转装置中采用脉冲电源于钨铜板或钨铜‑钨‑钨铜板上电积覆铜；最后经过轧制整平和退火处理得到钨‑铜复合材料。本发明的钨‑铜复合材料为叠层复合金属板材。本发明在旋转装置中采用脉冲电源于钨铜板或钨铜‑钨‑钨铜板上电积覆铜，所覆铜层均匀性好，同板差在10％以内；金属铜与基材的结合效果好，铜层厚度可控，成材率高；本发明制备的钨‑铜复合材料可广泛应用于电子、电器、航天、机械等领域。
-
公开(公告)号：CN104289856A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310306089.X
申请日：2013-07-19
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种钼铜复合材料的制备方法，属于复合材料领域。该方法的步骤包括：首先以金属钼板作为基材，采用渗铜的方法使金属铜渗入到基材表层；然后通过电铸方法在钼板上覆铜使铜层加厚；最后经过轧制得到钼铜复合材料。该方法的特点是金属铜与基材的结合效果好，铜层厚度可控。本发明方法制备的钼铜复合材料可广泛应用于电子工业，特别是微电子工业中。
-
公开(公告)号：CN101994030B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910091135.2
申请日：2009-08-10
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C19/03 , C22C19/05 , C22C1/03 , B22D11/06 , C21D1/18 , C21D1/74 , B22F9/04 , H01M4/38 , H01M4/26
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明涉及一种低成本高性能稀土系AB5型储氢合金及其制备方法，它以下列通式表示：M1(Ni1-x-y-wCoxMnyAlzMw)mNn，式中，x、y、z、w、m、n表示摩尔比，其数值范围分别为：0＜x≤0.1、0＜y≤0.2、0＜z≤0.2、0≤w≤0.06、4.8≤m≤5.5、0＜n≤0.1；M1是由La和选自Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Mg、Ti和Zr元素组中的至少1种组成，其中La含量为30～90重量％，相应La在合金中含量占10～30重量％；M是Cu、Fe、Si、Ge、Sn、Cr、Zn、B、V、W、Mo、Ta和Nb元素中的至少1种；N是Ca和/或Y。该储氢合金具有单一相组成，或含不超过2重量％的Al-Mn-Ni-Co相和/或RE-N-Ni析出相。采用单/双辊快淬或普通熔铸工艺，结合1173～1273K保温4～12小时退火处理，并进行水、油或气淬火处理来制备。该合金具有高容量和长寿命；同时，合金组成中价格昂贵的Co含量低，具有低成本优势；再循环利用性能好。
-
公开(公告)号：CN105798544A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410853498.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种钨-铜复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域。本发明首先以具有多孔结构的钨板作为基材，采用渗铜的方法使铜渗入基材表层或内部；其次经过表面处理后在旋转装置中采用脉冲电源于钨铜板或钨铜-钨-钨铜板上电积覆铜；最后经过轧制整平和退火处理得到钨-铜复合材料。本发明的钨-铜复合材料为叠层复合金属板材。本发明在旋转装置中采用脉冲电源于钨铜板或钨铜-钨-钨铜板上电积覆铜，所覆铜层均匀性好，同板差在10％以内；金属铜与基材的结合效果好，铜层厚度可控，成材率高；本发明制备的钨-铜复合材料可广泛应用于电子、电器、航天、机械等领域。
-
公开(公告)号：CN108251734A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611236461.4
申请日：2016-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种热阴极用钨基体及其制备方法，属于微波真空电子技术及难熔金属粉末冶金领域。本发明的热阴极用钨基体为纯钨、钨铱、钨锇或钨铼合金，它的总孔隙度为13～22％，平均孔径为0.2～1.5μm，闭孔率＜0.5％，骨架抗拉强度为150～300MPa。其制备方法是以湿法分级的窄粒度、中细颗粒钨或钨合金粉为原料，经真空除气、过筛、冷等静压压制、复合烧结，再经热等静压复压复烧改性、全致密渗铜，最后机加工和高温真空去铜。本发明的热阴极用钨基体孔隙度适宜、孔径小且分布窄、闭孔率极低、骨架强度高，可用于制作低温大电流、高可靠和长寿命阴极；其制备方法工艺可控度高，产品一致性好，容易实现规模化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106269958B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510259639.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B21C37/02
Abstract: 本发明涉及一种不固溶金属体系叠层金属复合方法，属于叠层复合材料制备技术领域。该方法包括芯材的表面处理；芯材的表面改性及一次覆铜；用铜包覆注铜芯材的真空电子束焊接；二次覆铜；冷轧精整；及氢气保护退火等。本发明所制备的不固溶金属体系叠层金属复合材料具有界面结合强度高、尺寸精度高、板形良好、芯层质量好、各层厚度偏差小且平行度好的优点，可作为一种电子封装材料或热沉材料应用于电子信息技术领域。
-
公开(公告)号：CN106269958A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510259639.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B21C37/02
CPC classification number: B21C37/02
Abstract: 本发明涉及一种不固溶金属体系叠层金属复合方法，属于叠层复合材料制备技术领域。该方法包括芯材的表面处理；芯材的表面改性及一次覆铜；用铜包覆注铜芯材的真空电子束焊接；二次覆铜；冷轧精整；及氢气保护退火等。本发明所制备的不固溶金属体系叠层金属复合材料具有界面结合强度高、尺寸精度高、板形良好、芯层质量好、各层厚度偏差小且平行度好的优点，可作为一种电子封装材料或热沉材料应用于电子信息技术领域。
-
公开(公告)号：CN103801706B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210447145.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22F9/22
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷金属化用钼粉及其制备方法，属于难熔金属粉末冶金制粉领域。本发明的钼粉为近球形，平均粒径为0.5~2.0μm，最大粒径不大于平均粒径的两倍；或者为片状，平均厚度为0.3~1.5μm，比表面积为0.5~4.0m2/g。以钼酸铵溶液为原料，以高分子表面活性剂作为分散剂并用常见醇或酮强化分散效果，采用喷雾干燥进行快速结晶干燥，获得细颗粒空心薄壁球形钼酸铵晶体，经热解、氢气还原、化学分解、过滤洗涤、二次分散和干燥筛分，原位生成分散良好的微米、亚微米近球形或片状窄粒度分布钼粉。本发明方法在企业现有的生产条件基础上进行技术改造和延伸，容易实现规模化生产，且生产效率高、效果好。
-
公开(公告)号：CN101994030A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091135.2
申请日：2009-08-10
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C19/03 , C22C19/05 , C22C1/03 , B22D11/06 , C21D1/18 , C21D1/74 , B22F9/04 , H01M4/38 , H01M4/26
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明涉及一种低成本高性能稀土系AB5型储氢合金及其制备方法，它以下列通式表示：Ml(Ni1-x-y-wCoxMnyAlzMw)mNn，式中，x、y、z、w、m、n表示摩尔比，其数值范围分别为：0＜x≤0.1、0＜y≤0.2、0＜z≤0.2、0≤w≤0.06、4.8≤m≤5.5、0＜n≤0.1；Ml是由La和选自Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Mg、Ti和Zr元素组中的至少1种组成，其中La含量为30～90重量％，相应La在合金中含量占10～30重量％；M是Cu、Fe、Si、Ge、Sn、Cr、Zn、B、V、W、Mo、Ta和Nb元素中的至少1种；N是Ca和/或Y。该储氢合金具有单一相组成，或含不超过2重量％的Al-Mn-Ni-Co相和/或RE-N-Ni析出相。采用单/双辊快淬或普通熔铸工艺，结合1173～1273K保温4～12小时退火处理，并进行水、油或气淬火处理来制备。该合金具有高容量和长寿命；同时，合金组成中价格昂贵的Co含量低，具有低成本优势；再循环利用性能好。
-
公开(公告)号：CN1314533C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN00133631.2
申请日：2000-11-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种泡沫金属材料，尤其是制备该泡沫金属的方法。复合泡沫金属是以一种泡沫金属(A)为构架，在其表面复合另一金属(B)，其中泡沫金属(A)的成份含量为3～96%(重量百分比)，复合的另一金属(B)为余量。先将泡沫材料制备导电层，采用电沉积的方法，在泡沫材料上沉积金属(A)，再在金属(A)表面沉积另一金属(B)，经过热处理后，形成复合泡沫金属。该复合泡沫金属可广泛用于二次电池中，也可作为过滤、屏蔽、吸音等材料应用于各领域中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.041 seconds)
