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公开(公告)号：CN101656195A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810118812.0
申请日：2008-08-22
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面抛光的去除速度；(2)将磨削片进行常规双面抛光；(3)将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的工艺方法中用HF溶液去除磨削后表面的氧化层，更有利于双面抛光，从而使抛光时间大幅度地降低，同时减小了硅单晶去除量，提高单位单晶的产率。由于磨削量和腐蚀量降低，从而有力的保证了产品的加工精度，可以制造出高平整度的大直径硅片，本发明可以使用于商业上的任何大直径硅片加工工艺。
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公开(公告)号：CN108315602A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810017919.X
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 中国铁路设计集团有限公司 , 北京中安远大电缆有限公司
Abstract: 本发明属于电缆制造技术领域，特别涉及一种铁路用稀土铝合金电缆导体及制备方法。该铝合金电缆导体中各组分质量百分数为：Fe 0.8～1.2wt％，Cu 0.3～0.8wt％，Zn 0.05～0.1wt％，Zr 0.01～0.05wt％，B 0.01～0.05wt％，Ca 0.02～0.05wt％，稀土0.05～0.1wt％，Si含量小于0.05wt％，余量为Al；其中稀土为镧、镨、铈、钕、钪、钇组成的混合稀土；杂质元素Cr、Mn、V、Ti含量总和小于0.05wt％，其他杂质元素含量均小于0.005wt％。本发明提供的稀土铝合金导体具有优异的电性能、耐寒热、耐蚀和耐磨性能。
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公开(公告)号：CN104651693A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310597670.1
申请日：2013-11-22
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种含微量Al元素的稀土变形镁合金及其制备方法，属于工业用镁合金的范畴。该镁合金的重量百分比组成为：Gd：6.5～15.0%，Y：3.0～5.5%，Zn：2.0～4.0%，Nd：0.3～1.5%，Zr：0.3～0.9%，Al：0.4～1.0%，余量为Mg。该镁合金的制备方法包括原料准备、合金熔炼、合金半固态挤压、均匀化处理、再变形、冷却及预拉伸处理和时效强化处理等步骤。本发明充分利用了Al优先与合金中的稀土及Zr形成稳定相的缺点，辅助添加了Zn元素来弥补其不足，制备了具有高性能的变形镁合金，提高了稀土元素的回收效果，同时将半固态成形与固态塑性成形进行结合。
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公开(公告)号：CN101728776A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224296.X
申请日：2008-10-16
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
IPC: H02B1/56
Abstract: 本发明提供了一种车间用电柜冷却方法，该方法包括：(1)在电柜外表面开孔，作为排风口；(2)将排风口接入排风管道。该方法既省去了内置风扇，节省了电柜的空间，又大大提高了降温的效率，同时节省电能，在各种工厂和车间里非常实用，本发明可以使用于任何电柜上。
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公开(公告)号：CN104651693B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201310597670.1
申请日：2013-11-22
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种含微量Al元素的稀土变形镁合金及其制备方法，属于工业用镁合金的范畴。该镁合金的重量百分比组成为：Gd：6.5～15.0%，Y：3.0～5.5%，Zn：2.0～4.0%，Nd：0.3～1.5%，Zr：0.3～0.9%，Al：0.4～1.0%，余量为Mg。该镁合金的制备方法包括原料准备、合金熔炼、合金半固态挤压、均匀化处理、再变形、冷却及预拉伸处理和时效强化处理等步骤。本发明充分利用了Al优先与合金中的稀土及Zr形成稳定相的缺点，辅助添加了Zn元素来弥补其不足，制备了具有高性能的变形镁合金，提高了稀土元素的回收效果，同时将半固态成形与固态塑性成形进行结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101654250B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810118666.1
申请日：2008-08-21
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种从磨削废液中提取硅粉的方法，该方法是往磨削废液加盐酸，控制pH在1.0-6.0之间，经静置、分离、干燥。盐酸浓度为0.1～37％，盐酸温度为15℃～60℃。可采用自然凉干的方法，自然凉干的过程中，盐酸和水都挥发掉了，因此硅粉里不含盐酸。硅粉中含少量金刚石微粒对以后的运用几乎没有影响，没有必要对含少量金刚石微粒的硅粉进行再分离。本发明的优点是：该方法简便、效果好，不仅可以变废为宝，而且可以减少磨削废液对环境的污染。
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公开(公告)号：CN101656193A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810118667.6
申请日：2008-08-21
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅片加工工艺，它包括以下的步骤：(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削；(2)用HF溶液和选自H 2 O 2 、O 3 中的一种组成混合溶液去除硅表面的微观凸起部分；(3)将硅片进行常规酸腐蚀；(4)将酸腐蚀片进行常规双面抛光；将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的优点是：可以获得高平整度的硅片，同时可以降低整个制造过程的去除量，减少大约20微米去除量，相当于减少单面抛光的去除。
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公开(公告)号：CN101656193B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810118667.6
申请日：2008-08-21
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅片加工工艺，它包括以下的步骤：(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削；(2)用HF溶液和选自H2O2、O3中的一种组成混合溶液去除硅表面的微观凸起部分；(3)将硅片进行常规酸腐蚀；(4)将酸腐蚀片进行常规双面抛光，将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的优点是：可以获得高平整度的硅片，同时可以降低整个制造过程的去除量，减少大约20微米去除量(相当于减少单面抛光的去除。
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公开(公告)号：CN101654250A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810118666.1
申请日：2008-08-21
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种从磨削废液中提取硅粉的方法，该方法是往磨削废液加盐酸，控制pH在1.0-6.0之间，经静置、分离、干燥。盐酸浓度为0.1～37％，盐酸温度为15℃～60℃。可采用自然晾干的方法，自然晾干的过程中，盐酸和水都挥发掉了，因此硅粉里不含盐酸。硅粉中含少量金刚石微粒对以后的运用几乎没有影响，没有必要对含少量金刚石微粒的硅粉进行再分离。本发明的优点是：该方法简便、效果好，不仅可以变废为宝，而且可以减少磨削废液对环境的污染。
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公开(公告)号：CN201122584Y
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200720190356.1
申请日：2007-11-26
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研半导体材料股份有限公司
Abstract: 一种用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，它包括：阀门组；氮气供应管路；异丙醇吸附、释放装置；所述的阀门组、及氮气供应管路为并联安装的两条管路及阀门，且在其中一条氮气管路中串接一个文丘里，在文丘里侧壁接一条异丙醇供应管路，在文丘里与干燥槽之间接一异丙醇吸附、释放装置。主要通过文丘里效应将异丙醇从异丙醇容器中吸出，然后通过异丙醇吸附、释放装置后将异丙醇蒸汽与N2一起送入到干燥槽的静压腔中。本实用新型可以做到异丙醇持续、稳定、适量的供应到干燥槽中，从而保证硅片清洗的效果。
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