公开(公告)号：CN118610267B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411082428.5

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  朱松超 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  柳先鹤 ,  郝新宇 ,  董子斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、有源阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽形成于漂移区；多晶硅夹心结构形成于场板凹槽内，包括第一多晶硅层和包裹在其外的密封氧化层，密封氧化层包括下氧化层和上氧化层；载流子吸引层，形成于多晶硅夹心结构下方的漂移区内；第二多晶硅层，形成于多晶硅夹心结构表面；第一多晶硅层与下氧化层构成第一场板结构；第二多晶硅层和多晶硅夹心结构构成第二场板结构；第二多晶硅层施加电压后，第一多晶硅层能存储电荷，控制载流子在漂移区的流通路径。本发明能存储大量电荷，提高电荷存储稳定性，改善表面自热效应，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN118610267A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202411082428.5

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  朱松超 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  柳先鹤 ,  郝新宇 ,  董子斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、有源阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽形成于漂移区；多晶硅夹心结构形成于场板凹槽内，包括第一多晶硅层和包裹在其外的密封氧化层，密封氧化层包括下氧化层和上氧化层；载流子吸引层，形成于多晶硅夹心结构下方的漂移区内；第二多晶硅层，形成于多晶硅夹心结构表面；第一多晶硅层与下氧化层构成第一场板结构；第二多晶硅层和多晶硅夹心结构构成第二场板结构；第二多晶硅层施加电压后，第一多晶硅层能存储电荷，控制载流子在漂移区的流通路径。本发明能存储大量电荷，提高电荷存储稳定性，改善表面自热效应，提高击穿电压。