一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块

    公开(公告)号:CN115621226A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211405483.4

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块,半导体器件的封装结构用于安装芯片,包括:电极组件,电极组件与芯片的第一电极电性连接;电极组件包括:第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件,弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接;第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接;传热组件包括第一传热端和第二传热端,第一传热端和第一电极部件固定连接,第二传热端和第二电极部件活动连接;或,第一传热端和第一电极部件活动连接,第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿,同时可以提升半导体器件的散热能力。

    一种功率半导体模块
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115910985B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202211405522.0

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:栅极PCB板和多个并联的子模组,每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端,栅极PCB板包括驱动连接单元,栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极;栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点,多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接,流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明,使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致,实现了栅极寄生参数均衡化,从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力,提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升,能够在增加并联子模组的同时,提升其安全可靠性。

    一种功率半导体模块
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115910985A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211405522.0

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:栅极PCB板和多个并联的子模组,每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端,栅极PCB板包括驱动连接单元,栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极;栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点,多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接,流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明,使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致,实现了栅极寄生参数均衡化,从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力,提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升,能够在增加并联子模组的同时,提升其安全可靠性。

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