一种高基频石英晶体的化学减薄加工方法、系统、设备

    公开(公告)号:CN116024669A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211732797.5

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本说明书公开了一种高基频石英晶体的化学减薄加工方法、系统、设备,涉及石英晶体材料的加工领域,旨在解决传统晶体加工方法工艺难度大,周期长,频率低且频率难以控制的问题。本发明方法包括:获取待化学减薄加工的石英晶片,按照频率进行分档并按频率档次进行清洗、烘干;将烘干后的石英晶片重新分档,分档后进行腐蚀,测试腐蚀的石英晶片的频率,并计算石英晶片腐蚀到目标频率所需要的腐蚀时间;根据腐蚀时间,重新选取石英晶片进行腐蚀;石英晶片腐蚀结束后,获取石英晶片的频率,若石英晶片外观无异常,则完成石英晶片的化学减薄加工。本发明可以减少研磨带来的机械损伤,得到更高的频率、极低的表面粗糙度值和很高的面形精度的石英晶体。

    一种高精密SC切石英振子的制备方法及SC切石英谐振器

    公开(公告)号:CN118249764A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410376335.7

    申请日:2024-03-29

    Abstract: 本申请公开了一种高精密SC切石英振子的制备方法及SC切石英谐振器,烘烤温度为300‑400℃;烘烤时间为3‑6小时,烘烤结束后,将其转至镀膜工装内;等离子处理:处理参数包括气体成分、气体流量、射频功率和射频时间,气体成分包括氩气和氧气,氩气和氧气比例为6:4‑9:1,气体流量为100‑140sccm,射频功率为140‑190W,射频时间为110‑190S;镀膜:镀膜材质为纯度不低于99%的Au,镀膜厚度为#imgabs0#镀膜温度为110‑130℃,膜层附着速度为不低于#imgabs1#镀膜完毕的SC切石英晶片为SC石英振子;烘烤固化:烘烤温度为230‑260℃,烘烤时间为4~6小时,烘烤结束,取出SC切石英振子。通过上述方法能够去除金属膜层与晶片表面之间的内应力,增加金属膜层附着力,实现提高Q值和降低电阻的目的。

Patent Agency Ranking