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公开(公告)号：CN119922964A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374466.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种集成功率半导体器件和电子设备，该集成功率半导体器件包括：第一功率半导体芯片，第一功率半导体芯片包括第一晶闸管；导电层，位于第一功率半导体芯片的一侧，导电层作为第一功率半导体芯片的阴极；第二功率半导体芯片，位于导电层的远离第一功率半导体芯片的一侧，第一功率半导体芯片与第二功率半导体芯片通过导电层串联。本申请解决了现有功率半导体器件封装中，阴极电极主要起到导电作用，其空间利用率不高导致功率半导体器件的性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN119922928A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374469.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种集成门极换流晶闸管的元胞结构及其制备方法，该元胞结构包括：基底；漂移层在背离基底的一侧具有第一表面；第一掺杂层包括第一子掺杂区和第二子掺杂区，第一子掺杂区和第二子掺杂区沿第一方向交替排布，第一子掺杂区具有第一掺杂类型，第二子掺杂区具有第二掺杂类型；第二掺杂层背离基底的一侧表面为第二表面；阴极结构一部分位于第二掺杂层中，另一部分位于第二表面上；多个门极位于阴极结构在第一方向上的两侧。通过在漂移层上形成由第一子掺杂区和第二子掺杂区形成的半超结结构，减小了漂移层的厚度，且漂移层厚度的减小还可以降低晶闸管的导通电阻，提高晶闸管的开关速度。解决了元胞结构的尺寸较大，且综合性能不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119922926A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372589.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电压控制型晶闸管以及电压控制型晶闸管的制备方法，所述电压控制型晶闸管包括：从阳极到阴极依次排列的P型发射区、N型漂移区、第一P阱区与第二P阱区、以及N+型发射区，其中，所述第二P阱区位于所述第一P阱区的端部，所述第二P阱区的掺杂浓度大于所述第一P阱区的掺杂浓度。本发明通过引入第二P阱区使晶闸管的阈值电压和导通特性解耦，即，器件的阈值电压主要由第二P阱区的掺杂浓度调控，且导通特性取决于第一P阱区的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN119920699A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372594.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其封装工艺方法；该半导体器件的封装工艺方法包括步骤：通过注塑工艺将阴极电极、阳极电极和门极电极预连接于芯片上，以形成将芯片密封包裹的一体化预组装结构；将管壳封装于一体化预组装结构的外周；将管壳的管壳阴极与阴极电极密封电连接，管壳的管壳阳极与阳极电极密封电连接；采用管壳盖板对管壳进行封盖。本申请通过在芯片封装前增加一体成型环节，通过将芯片上的金属电极一体成型连接于芯片，并通过注塑工艺将一体成型后的组装结构进行注胶，以将芯片包裹，从而使得芯片与外部环境隔离，以达到提升芯片测试良率的目的。
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公开(公告)号：CN119920698A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372587.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，公开一种用于功率半导体器件的封装方法与封装的功率半导体器件。所述方法包括：将封装管壳浸没至浸没仓内的导热液，其中所述导热液的温度大于或等于所述功率半导体器件的结温，所述导热液的导热系数大于预设系数，所述导热液为绝缘液体，以及所述功率半导体器件的阴极与门极之间存在间隙；将封装零部件放入所述封装管壳内；在所述封装管壳内部，按照封装工艺顺序将所述封装零部件针对所述功率半导体器件进行装配；对所述封装管壳进行密封封装。本发明可提高门阴极侧的散热效率，改善阴阳极散热均衡性，提升器件结温和增强关断能力，从而可提高器件的可靠性和使用寿命，同时，具有工艺简单、成本低、适应性强等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119881584A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374465.1
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种高温阻断测试电路、测试装置和测试方法，该电路包括电连接的交流电压源支路、直流电压源支路、门极电压源支路和接地开关，在接地开关和交流电压源支路的控制开关均闭合的情况下，采用交流电压源支路对被测功率半导体器件进行高温交流阻断测试；在接地开关和直流电压源支路的控制开关均闭合的情况下，采用直流电压源支路对被测功率半导体器件进行高温直流阻断测试；在接地开关断开，且门极电压源支路的控制开关闭合的情况下，采用门极电压源支路对被测功率半导体器件进行高温门极反偏测试。该电路通过控制不同电压源的接入，实现被测功率半导体器件高温交流阻断、高温直流阻断以及高温门极反偏的筛选及可靠性测试。
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公开(公告)号：CN119881581A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510372702.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供功率器件封装老化监测方法、监测电路、驱动方法及装置，该方法包括：根据第一加热脉冲对待测器件加热，使结温升高至预设最大结温；对待测器件散热，散热时长根据辅助封装膜层与目标封装膜层的热时间常数和确定，待测器件的封装结构包括辅助封装膜层和目标封装膜层，辅助封装膜层位于目标封装膜层与热源之间；获取待测器件第一当前结温；根据第二加热脉冲对待测器件加热，加热时长根据辅助封装膜层的热时间常数和确定，第二加热脉冲根据第一加热脉冲确定；获取待测器件第二当前结温；根据第一当前结温、第二当前结温和第二加热脉冲，确定目标封装膜层的当前热阻；根据当前热阻与预设热阻判断目标封装膜层的老化状态。
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公开(公告)号：CN119881435A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374476.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种电流检测线圈参数的确定方法与导体电流分布的检测方法，该方法包括：至少根据被测导体的尺寸预设虚拟检测参数，其中，虚拟检测参数至少包括虚拟模型参数和虚拟线圈的性能参数；基于法拉第电磁感应定律根据虚拟检测参数，确定电流检测线圈的真实性能参数，电流检测线圈的真实性能参数用于制备电流检测线圈，电流检测线圈用于检测被测导体的电流分布。采用该方法得到的性能参数制备得到的电流检测线圈对检测区域电流具有高灵敏度，且对非检测区域电流具有高屏蔽能力，实现了对局部电流有高识别能力的非侵入式检测。且该方法可根据不同的使用场景，定制化设计线圈所需性能，具有广泛的使用范围。
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公开(公告)号：CN119813110A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411905816.9
申请日：2024-12-23
Abstract: 本申请涉及一种混合换相换流阀运行方法及混合换相换流阀，通过获取混合换相换流阀的交流进线口的相电流测量值，以及混合换相换流阀的桥臂导通状态信息，结合预设的、桥臂导通状态、相电流和桥臂电流的对应关系，分析计算得到当前导通桥臂的桥臂电流。该方案，通过测量混合换相换流阀的交流进线口的相电流测量值，并结合桥臂导通状态信息进行分析的方式，间接得到混合换相换流阀的桥臂电流，无需在混合换相换流阀的桥臂上安装电流传感器，不受电磁以及振动影响，确保所获取的桥臂电流的准确性。如此，以准确性较高的桥臂电流实现混合换相换流阀的主动关断监测，有效提高混合换相换流阀的运行可靠性。
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公开(公告)号：CN119765969A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411695418.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M7/5387 , H02M1/088
Abstract: 本申请涉及一种混合桥臂及其控制方法、半桥电路及电流源型变换器，电流源型变换器的半桥电路包括串联的上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂中，至少有一个桥臂为混合桥臂，混合桥臂包括并联的导通压降优化桥臂和关断电流优化桥臂，导通压降优化桥臂的导通压降小于关断电流优化桥臂的导通压降，关断电流优化桥臂的电流关断能力高于导通压降优化桥臂的电流关断能力。通过并联低导通压降的导通压降优化桥臂和高电流关断能力的关断电流优化桥臂形成混合桥臂，组成电流源型变换器，使得电流源型变换器可以在降低导通压降的同时提高其电流关断能力，实现电流源型变换器运行效率和运行范围的同时优化，提高了电流源型变换器的工作性能约束上限。
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