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公开(公告)号：CN104795450B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN108039320A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711115312.7
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/225 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种纳秒级高速开关双极晶体管制造方法，属于半导体分立器件设计和制造领域。本发明采用后扩金工艺，避免了传统扩金工艺在扩金后再进行发射区推结，抑制了传统工艺带来的金固溶度的降低和金原子的沉淀，提高了器件的开关速度和可靠性，此外，扩金在硅中引入的复合中心，可以缩短少子寿命，减小基极复合电流，从而提高了器件抗ELDRS效应的能力。基区和发射区表面的电极隔离介质层采用热氧化工艺制造，减少辐照时氧化层中感生的正电荷，提高了器件抗ELDRS效应的能力。芯片钝化膜采用SiO2+BPSG+Si3N4的多层钝化结构，可提高器件耐湿和抗环境污染的能力。
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公开(公告)号：CN114783879A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210316253.4
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L23/552 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种改善超结VDMOS器件抗辐照能力的器件制作方法，属于半导体器件制造领域；通过在平面栅超结VDMOS的JFET区设置一个与源极连通的肖特基，通过设置肖特基结构能够快速抽取出重离子入射器件过程中产生的空穴，从而减少流经P型基区的空穴数目，有效抑制寄生晶体管的开启，从而提升器件抗单粒子烧毁能力；本发明该结构可有效排出重离子入射过程产生的空穴，且减少栅氧层下空穴的聚集情况，提高平面栅超结器件抗单粒子能力，同时与常规超结VDMOS加工工艺相兼容，易于加工。
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公开(公告)号：CN109638090B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201811378250.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基紫外减反射膜结构及其制备方法，属于光电探测器件加工技术领域。所述结构包括减反射膜层和电极，所述减反射膜层包括叠放的SiO2层和Al2O3层，所述减反射膜层设有通孔，所述电极全部或部分淀积在所述通孔内。本发明实施例提供的碳化硅基紫外减反射膜结构通过将Al2O3膜层与SiO2膜层结合使用，防止了外界杂质对SiO2膜层的污染和腐蚀，提高了探测器器可靠性和寿命，同时，Al2O3层的表面粘度低、导热性能好，与SiO2膜层协同作用确保碳化硅基紫外探测器测量的准确性和灵敏度。
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公开(公告)号：CN111146271A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911330747.2
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种带有终端结构的超结MOSFET结构及制备方法，N+型衬底上表面附着有N型外延层；N型外延层的部分区域加工有多个阵列的P柱；两相邻P柱之间作为N柱；在P柱和N柱的上表面通过浅离子注入一层阱；阱的上表面刻蚀部分区域，在刻蚀区域通过离子注入获得源区；N型外延层上终端区和超结区之间浅离子注入一层P-区；N型外延层上表面依次淀积二氧化硅层、多晶硅层作为MOSFET结构的栅极；钝化层光刻开孔、淀积获得源极和场限环；N+型衬底的下表面附着有Al/Si/Cu合金作为漏极。本发明采用深槽截止的方式进行终端结构的制备，槽内填充高阻硅，防止拐角击穿，提高器件的耐压能力。采用金属场限环降低PN结处的电场峰值，使得终端表面电场平坦化，有效解决了器件终端区的尖端放电效应，提升器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110911499A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910927602.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L29/45 , H01L29/06 , H01L21/56 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种玻封电压调整二极管、管芯及其制造方法。管芯包括硅片和钝化保护层、第一电极和第二电极，硅片的正面周边有弧形缺口，在中央形成岛区，第一电极附着在硅片正面中央岛区上，第二电极附着在硅片的背面，钝化保护层避开第一电极附着在硅片的弧形缺口处，所述钝化保护层为三层复合结构，从硅片向外依次为第一二氧化硅层、PSG层和第二二氧化硅层。二极管在管芯的基础上还包括第一钨柱、第二钨柱、玻璃外罩、第一引线端、第二引线端，第一钨柱、第二钨柱分别与第一电极、第二电极熔接，第一引线端、第一引线端分别与第一钨柱、第二钨柱焊接；玻璃外罩封装在第一钨柱、第二钨柱外侧，用于保护管芯。本发明二极管热阻低、可靠性高。
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公开(公告)号：CN106711048A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611161437.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种小电容抗辐照VDMOS芯片的制造方法，反型区和漂移区的栅氧采用不同的工艺技术形成。器件反型区的栅氧采用高温氧化工艺形成，漂移区的栅氧采用沟槽回填技术形成，通过调节沟槽深度可以调节漂移区的栅氧厚度。从而使器件具备了两种栅氧厚度，反型区的栅氧薄，而漂移区的栅氧厚。反型区的薄栅氧可以降低总剂量辐照对器件性能参数的影响。同时，漂移区的厚栅氧可以减小栅氧中的电场强度，使器件不易发生栅介质击穿。此外，漂移区的厚栅氧增加了多晶硅与漏极之间的距离，有利于减小栅漏电容，改善器件的开关特性。本发明方法与传统VDMOS芯片的制造技术兼容，工艺步骤简单，可以用来制造高可靠、高效率的VDMOS芯片。
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公开(公告)号：CN104795450A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0615 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104681633A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N-型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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公开(公告)号：CN117269708A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310594617.X
申请日：2023-05-24
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体分立器件测试领域，具体涉及了一种MOSFET近场电磁辐射测试方法，旨在解决目前无法避免MOSFET器件过强的电磁辐射发射所导致的其它元器件失效的问题。本发明包括：测试当前环境噪声水平；设定扫频区域和步进间隔；设定所述待测试MOSFET的开关频率；设置扫频频率范围并进行两次扫频；改变所述待测试MOSFET的开关频率，对比不同开关频率下的辐射发射情况。本发明对MOSFET器件近场电磁辐射的测试结果给出了使用者在使用时所应该注意的电磁环境，避免MOSFET器件过强的电磁辐射发射所导致的其它元器件失效。
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