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公开(公告)号：CN104795450B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN108039320A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711115312.7
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/225 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种纳秒级高速开关双极晶体管制造方法，属于半导体分立器件设计和制造领域。本发明采用后扩金工艺，避免了传统扩金工艺在扩金后再进行发射区推结，抑制了传统工艺带来的金固溶度的降低和金原子的沉淀，提高了器件的开关速度和可靠性，此外，扩金在硅中引入的复合中心，可以缩短少子寿命，减小基极复合电流，从而提高了器件抗ELDRS效应的能力。基区和发射区表面的电极隔离介质层采用热氧化工艺制造，减少辐照时氧化层中感生的正电荷，提高了器件抗ELDRS效应的能力。芯片钝化膜采用SiO2+BPSG+Si3N4的多层钝化结构，可提高器件耐湿和抗环境污染的能力。
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公开(公告)号：CN114783879A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210316253.4
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L23/552 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种改善超结VDMOS器件抗辐照能力的器件制作方法，属于半导体器件制造领域；通过在平面栅超结VDMOS的JFET区设置一个与源极连通的肖特基，通过设置肖特基结构能够快速抽取出重离子入射器件过程中产生的空穴，从而减少流经P型基区的空穴数目，有效抑制寄生晶体管的开启，从而提升器件抗单粒子烧毁能力；本发明该结构可有效排出重离子入射过程产生的空穴，且减少栅氧层下空穴的聚集情况，提高平面栅超结器件抗单粒子能力，同时与常规超结VDMOS加工工艺相兼容，易于加工。
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公开(公告)号：CN108269859B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711322420.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L25/07 , H01L23/373 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法，管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管和第二单向二极管结构相同。本发明的管芯与管芯之间焊接温度较高，为后续管芯密封、引线焊接等工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对管芯焊接结构的影响。管芯之间起连接作用的是共晶体，在固相下没有复杂的相变，稳定性强，提高器件可靠性。本发明工艺简单，制造成本低，可以用来制造漏电流低、钳位电压易控制、体积小、热阻小、可靠性高的双向瞬变电压抑制二极管。结构适应于玻璃封装、塑封、金属封装等多种封装形式。
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公开(公告)号：CN111584365A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010358705.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，该方法在栅极深槽的边缘设置一个与源极N+金属相连接的屏蔽槽，槽栅与屏蔽槽之间间距尽量小，通过屏蔽栅与槽栅的耦合可有效减小器件米勒电容值，降低开关损耗改善器件动态特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件米勒电容，提高器件开关速度减小开关损耗。相比分离栅槽栅VDMOS器件制造工艺更为简单，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711048A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611161437.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种小电容抗辐照VDMOS芯片的制造方法，反型区和漂移区的栅氧采用不同的工艺技术形成。器件反型区的栅氧采用高温氧化工艺形成，漂移区的栅氧采用沟槽回填技术形成，通过调节沟槽深度可以调节漂移区的栅氧厚度。从而使器件具备了两种栅氧厚度，反型区的栅氧薄，而漂移区的栅氧厚。反型区的薄栅氧可以降低总剂量辐照对器件性能参数的影响。同时，漂移区的厚栅氧可以减小栅氧中的电场强度，使器件不易发生栅介质击穿。此外，漂移区的厚栅氧增加了多晶硅与漏极之间的距离，有利于减小栅漏电容，改善器件的开关特性。本发明方法与传统VDMOS芯片的制造技术兼容，工艺步骤简单，可以用来制造高可靠、高效率的VDMOS芯片。
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公开(公告)号：CN104795450A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0615 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104681633A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N-型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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公开(公告)号：CN118198136A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410435689.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管，包括：衬底、n‑型漂移区、超级结p型梯形掺杂区、p‑型基区、n+型源区、源极金属铝和栅氧及多晶硅层；其中，n‑型漂移区位于衬底的上部；n‑型漂移区内部设置有倒梯形沟槽，超级结p型梯形掺杂区设置于倒梯形沟槽内；p‑型基区位于超级结p型梯形掺杂区的上部；n+型源区嵌于p‑型基区内；栅氧及多晶硅层位于n‑型漂移区、p‑型基区和n+型源区的上部；其中，与p‑型基区和n+型源区对应的栅氧及多晶硅层的位置处开设通孔；源极金属铝位于栅氧及多晶硅层的上部，其中，源极金属铝的部分与p‑型基区和n+型源区相接触。本发明解决传统超级结结构带来的通流能力弱、导通损耗大问题。
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公开(公告)号：CN111584365B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010358705.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，该方法在栅极深槽的边缘设置一个与源极N+金属相连接的屏蔽槽，槽栅与屏蔽槽之间间距尽量小，通过屏蔽栅与槽栅的耦合可有效减小器件米勒电容值，降低开关损耗改善器件动态特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件米勒电容，提高器件开关速度减小开关损耗。相比分离栅槽栅VDMOS器件制造工艺更为简单，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。
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