公开(公告)号：CN118197370A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410249797.2

申请日：2024-03-05

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 张彦龙 ,  陈雷 ,  孙华波 ,  闵楠 ,  巩金浩 ,  郭睿 ,  杨铭谦 ,  徐瀚铭 ,  郭琨 ,  赵美然 ,  张玉

IPC: G11C5/14 ,  G11C11/417

Abstract: 本发明公开了一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路，包括保护电压产生电路和驱动电路。本发明利用保护电压与MOS管组成的支路为驱动电路提供额外的电流通路，在辐射条件下，当辐射电离效应导致器件产生表面缺陷，PMOS功率晶体管阈值电压升高时，供电保护电路能够保护SRAM供电电压，防止SRAM掉电损失数据。