基于栅氧层老化的SiC MOSFET寿命预测方法

    公开(公告)号:CN120012594A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510142307.3

    申请日:2025-02-10

    Abstract: 本发明属于功率半导体器件寿命预测技术领域,具体是一种基于栅氧层老化的SiC MOSFET寿命预测方法。首先,通过SiC MOSFET加速老化试验获取不同工况条件下的真实阈值电压序列并进行预处理;然后,基于条件生成对抗网络构建寿命预测模型,包括生成器、普通判别器、条件判别器、编码网络和反向恢复网络;将工况条件作为条件标签与预处理后的真实阈值电压序列依次经过编码网络和反向恢复网络,得到嵌入工况条件的真实阈值电压序列;将工况条件作为条件标签与随机生成的高斯噪声序列经过生成器,得到嵌入工况条件的模拟阈值电压序列;将嵌入工况条件的真实阈值电压序列和模拟阈值电压序列同时输入到普通判别器和条件判别器中进行判别;最后,对寿命预测模型进行训练,利用训练后的生成器生成期望工况条件下的阈值电压序列。该方法能够离线预测SiC MOSFET在不同工况下的寿命,更具有适用性。

    一种智能电源分配器控制方法和终端

    公开(公告)号:CN114844003B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202210482750.1

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种智能电源分配器控制方法和终端,涉及电源技术领域,包括控制电路、至少一个电源输出单元,各电源输出单元分别与控制电路连接,控制电路用于接收上位机的通讯信号或外置开关的状态信号,控制各电源输出单元的输出,检测各电源输出单元的输出状态,根据检测数据选择量程和判断输出是否正常,定时查看是否发生输出异常,在输出异常时输出保护信号进行保护,计算工作时间。本申请的控制电路,接收通讯信号或外置开关信号对各电源输出单元的输出进行控制,实现了对电源分配器的智能控制,检测电源各通道是否输出正常,在发生异常时进行保护,提高了电源输出的精确度。

    一种智能电源分配器控制方法和终端

    公开(公告)号:CN114844003A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210482750.1

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种智能电源分配器控制方法和终端,涉及电源技术领域,包括控制电路、至少一个电源输出单元,各电源输出单元分别与控制电路连接,控制电路用于接收上位机的通讯信号或外置开关的状态信号,控制各电源输出单元的输出,检测各电源输出单元的输出状态,根据检测数据选择量程和判断输出是否正常,定时查看是否发生输出异常,在输出异常时输出保护信号进行保护,计算工作时间。本申请的控制电路,接收通讯信号或外置开关信号对各电源输出单元的输出进行控制,实现了对电源分配器的智能控制,检测电源各通道是否输出正常,在发生异常时进行保护,提高了电源输出的精确度。

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