公开(公告)号：CN103332658A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310253676.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  武鹏旭 ,  刘洪亮 ,  马旭颐 ,  路清梅 ,  张久兴

IPC: C01B19/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种高纯硒纳米粉末的制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯硒块为阳极，金属钨为阴极，在氩气压力为0.1～0.5MPa的气氛中，反应电流40～80A，阳极与阴极间电压为40～60V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的硒纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的硒纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。

公开(公告)号：CN102515116A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110385352.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  武鹏旭 ,  马旭颐 ,  路清梅 ,  张久兴

IPC: C01B19/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 高纯碲纳米粉末制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯碲块为阳极，金属钨为阴极，在高纯氩气压力为0.05～0.3MPa的气氛中，反应电流30～50A，阳极与阴极间电压为30～50V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的碲纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的碲纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。

公开(公告)号：CN101597034A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910088915.1

申请日：2009-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  马旭颐

IPC: C01B19/04

Abstract: 一种碲化铋纳米晶块体材料及其制备方法属于纳米材料制备领域。本发明的材料的特征在于，其化学组成为Bi2Te3，块体材料的晶粒粒径为30－100nm。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：分别以碲和铋的单质块为阳极，以金属钨为阴极，在氩气压力为0.05～0.1MPa的气氛中，采用直流电弧蒸发冷凝的方法制备出粒径为10～50nm的碲和铋的纳米粉末。将碲和铋的纳米粉末于氩气气氛中，按摩尔比3∶2，研磨混合后装入石墨模具中，将模具置于SPS烧结腔体中，施加30～50MPa的轴向压力，在氩气气氛或真空度为5～8Pa的条件下烧结，随炉冷却至室温得到碲化铋纳米晶块体材料。本发明方法工艺简单，且制备的碲化铋块体纯度高、晶粒尺度可控。