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公开(公告)号：CN106935606A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710329537.6
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14623 , H01L27/14625
Abstract: 本发明公开了一种影像传感器封装结构，使用内侧壁覆盖一层吸光层，且高于100μm的围堰代替较低的光刻胶聚合物围堰，增加透光盖板表面污染颗粒与感光区的距离，减小了光线因颗粒阻挡而在感光区形成的影响面积，并且减小了入射光的入射角；围堰内侧壁覆盖一层吸光层，可有效抑制斜射光线或感光区反射光线在围堰内侧壁的反射，减少入射到感光区的干扰光线，提高成像质量。
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公开(公告)号：CN106960829A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710329414.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L23/31 , H01L21/561 , H01L23/3135
Abstract: 本发明公开了一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法。本发明通过在芯片焊垫稀疏或无焊垫的一侧的绝缘层上设置开口并填充金属的方法，减小绝缘层与芯片的接触面积，从而降低绝缘层对芯片的作用，缓解封装的应力，增强封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN107221516A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710329950.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法，将围堰正面铺设好导电线路，减薄后的影像芯片功能面朝向围堰空腔，使其焊垫贴合至围堰上的导电线路上而电性相连，并在影像芯片侧壁及影像芯片非功能面上包裹绝缘层，在影像芯片侧壁处的绝缘层内制作导电体，将围堰正面的导电线路引至影像芯片的非功能面，并通过非功能面绝缘层上的重布线金属线路引出电性。本发明的封装技术在影像芯片上未设置制程，可以实现影像传感器薄型化，提高了封装可靠性。省略了硅通孔制作，深孔钝化等高成本制程，大大节约了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107154390A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710329515.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种薄型影像芯片封装结构及其制作方法。本发明通过将影像芯片功能面与基板正面键合，然后在基板背面设置暴露影像芯片功能面焊垫的开口，并在开口内形成延伸到基板背面的导电线路，将焊垫电性引到基板背面。并将芯片非功能面研磨至2μm～3μm，使非功能面透光，并在其上做微透镜。该封装结构使光线从芯片非功能面入射，先到达感光二极管，再通过电路层，不需要在晶圆生产过程中改变晶圆内部结构而实现影像芯片光效能的提高。
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公开(公告)号：CN107146799A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710329777.6
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14618 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基板的影像芯片封装结构及其制作方法。本发明通过将影像芯片与基板粘结，再将玻璃盖板围堰与基板键合，然后在基板第二表面与影像芯片非功能面设置暴露影像芯片功能面焊垫的开口，并在开口内形成延伸到基板背面的导电线路，将焊垫电性引到基板背面。该封装结构减小了功能区污染的概率，并提供了更大的布球空间。
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公开(公告)号：CN107146798A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710329411.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14618
Abstract: 本发明公开了一种影像芯片的封装结构。本发明通过在所述影像芯片正面与玻璃之间设置两层围堰，并在两层围堰之间形成凸块和/或搭桥结构，既能提高芯片的支撑强度，又能防止在芯片存在高度差的位置产生气泡。通过本结构提高芯片的支撑强度，并防止在芯片存在高度差的位置产生气泡，从而防止芯片分层失效，提高良率。
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公开(公告)号：CN106960829B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710329414.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法。本发明通过在芯片焊垫稀疏或无焊垫的一侧的绝缘层上设置开口并填充金属的方法，减小绝缘层与芯片的接触面积，从而降低绝缘层对芯片的作用，缓解封装的应力，增强封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN107221516B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710329950.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法，将围堰正面铺设好导电线路，减薄后的影像芯片功能面朝向围堰空腔，使其焊垫贴合至围堰上的导电线路上而电性相连，并在影像芯片侧壁及影像芯片非功能面上包裹绝缘层，在影像芯片侧壁处的绝缘层内制作导电体，将围堰正面的导电线路引至影像芯片的非功能面，并通过非功能面绝缘层上的重布线金属线路引出电性。本发明的封装技术在影像芯片上未设置制程，可以实现影像传感器薄型化，提高了封装可靠性。省略了硅通孔制作，深孔钝化等高成本制程，大大节约了成本。
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