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公开(公告)号：CN109521347B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811263255.1
申请日：2018-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了多个汽车级IGBT模块同步PWM功率循环实验装置，装置包括驱动保护系统、主电路系统、IGBT模块单元、水冷散热系统、小电流测试系统、数据采集系统五部分。该装置的驱动保护系统提供多路相同时序不同电位的高频驱动信号，分别对IGBT模块单元、水冷散热系统、数据采集系统进行控制。水冷散热系统包含多个独立的工位，可同时对多个IGBT模块进行独立的散热控制。主电路系统和小电流测试系统，交替的向待测IGBT模块进行供电。所述的数据采集系统，自动采集主电路的电流Ic、IGBT壳温Tc、IGBT集射极电压Vce，并且采用labview程序自动对采集的数据进行实时处理分析，输出保存测试数据。在提高工作效率的同时，也能够兼具接近实际工况的目的。
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公开(公告)号：CN107221516B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710329950.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法，将围堰正面铺设好导电线路，减薄后的影像芯片功能面朝向围堰空腔，使其焊垫贴合至围堰上的导电线路上而电性相连，并在影像芯片侧壁及影像芯片非功能面上包裹绝缘层，在影像芯片侧壁处的绝缘层内制作导电体，将围堰正面的导电线路引至影像芯片的非功能面，并通过非功能面绝缘层上的重布线金属线路引出电性。本发明的封装技术在影像芯片上未设置制程，可以实现影像传感器薄型化，提高了封装可靠性。省略了硅通孔制作，深孔钝化等高成本制程，大大节约了成本。
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公开(公告)号：CN109521347A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811263255.1
申请日：2018-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了多个汽车级IGBT模块同步PWM功率循环实验装置，装置包括驱动保护系统、主电路系统、IGBT模块单元、水冷散热系统、小电流测试系统、数据采集系统五部分。该装置的驱动保护系统提供多路相同时序不同电位的高频驱动信号，分别对IGBT模块单元、水冷散热系统、数据采集系统进行控制。水冷散热系统包含多个独立的工位，可同时对多个IGBT模块进行独立的散热控制。主电路系统和小电流测试系统，交替的向待测IGBT模块进行供电。所述的数据采集系统，自动采集主电路的电流Ic、IGBT壳温Tc、IGBT集射极电压Vce，并且采用labview程序自动对采集的数据进行实时处理分析，输出保存测试数据。在提高工作效率的同时，也能够兼具接近实际工况的目的。
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公开(公告)号：CN109443295A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811263261.7
申请日：2018-10-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于汽车级IGBT芯片表面Al金属化层粗糙度的测试方法。包括下列步骤：去除IGBT模块外部的塑封料和连接端子，IGBT模块下部的铜底板和陶瓷基板；去除IGBT芯片表面的Al键合线，形成IGBT芯片和Al金属化层两层材料的试样；利用切割机的定位和切割功能将试样切成尺寸为12mm×12mm大小的方形试样；通过粗细砂纸对方形试样的边缘位置磨抛；取磨抛后的试样进行超声波清洗，取出样块待其自然干燥；然后将试样放置于定位装置的内部，通过定位装置上定位杆和定位滑块的配合，在定位框架允许运动范围内的任意位置实现精准定位，定位滑块的圆孔下方即为测试位置。移动AFM的探针使其对准定位滑块的圆孔，之后测试圆孔下方Al金属化层的粗糙度。
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公开(公告)号：CN105632911A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610003474.0
申请日：2016-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及晶圆级芯片封装领域，涉及一种降低边缘应力的晶圆级封装方法。本发明步骤：步骤1，提供带有功能区、焊盘、晶圆；步骤2，提供盖板，盖板与支撑墙键合在一起；步骤3，利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆键合在一起；步骤4，对晶圆第二表面上切割道的位置进行预切割，并切割去除一定厚度的支撑墙，形成第一槽体；步骤5，对晶圆第二表面进行刻蚀，将焊盘上的材料去除，形成第二槽体；步骤6，制作重分布层，在晶圆第二表面制作重分布层；步骤7，对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明通过对切割道边缘、金属层以及介质层进行包裹及保护，降低了芯片边缘部分发生分层、开裂的风险；改善焊盘与金属线之间的电性连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097576A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510420460.4
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/11
Abstract: 一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN106969851B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710163220.X
申请日：2017-03-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/24
Abstract: 本发明提供了基于饱和压降测量IGBT功率模块结温的在线检测装置，该装置选取小电流下集电极和发射极的电压VCE作为温度敏感参数，其中所述的检测装置包括：温箱实验单元，确定在小电流下饱和压降VCE与结温Tj之间的函数关系；在功率循环条件下通过开关IGBT模块控制大电流关断，监测待测IGBT关断瞬间的VCE的变化，然后带入预先求出的函数关系得到结温Tj的变化过程。该装置可以实时地检测IGBT的结温。在此基础上，该装置增加过流、过温单元，通过自动断电的方式，实时保护IGBT器件，因此，本发明获得的IGBT的结温比现有技术中通过开盖或者改变电路结构得到的IGBT结温更加的简便快捷。
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公开(公告)号：CN105070732B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510420471.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含：分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。
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公开(公告)号：CN106969851A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710163220.X
申请日：2017-03-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/24
Abstract: 本发明提供了基于饱和压降测量IGBT功率模块结温的在线检测装置，该装置选取小电流下集电极和发射极的电压VCE作为温度敏感参数，其中所述的检测装置包括：温箱实验单元，确定在小电流下饱和压降VCE与结温Tj之间的函数关系；在功率循环条件下通过开关IGBT模块控制大电流关断，监测待测IGBT关断瞬间的VCE的变化，然后带入预先求出的函数关系得到结温Tj的变化过程。该装置可以实时地检测IGBT的结温。在此基础上，该装置增加过流、过温单元，通过自动断电的方式，实时保护IGBT器件，因此，本发明获得的IGBT的结温比现有技术中通过开盖或者改变电路结构得到的IGBT结温更加的简便快捷。
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公开(公告)号：CN106960829A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710329414.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L23/31 , H01L21/561 , H01L23/3135
Abstract: 本发明公开了一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法。本发明通过在芯片焊垫稀疏或无焊垫的一侧的绝缘层上设置开口并填充金属的方法，减小绝缘层与芯片的接触面积，从而降低绝缘层对芯片的作用，缓解封装的应力，增强封装的可靠性。
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