公开(公告)号：CN104392945A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410602373.6

申请日：2014-10-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  郭旺 ,  许坤 ,  刘奇 ,  邓军 ,  朱彦旭

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66477

Abstract: 一种基于场效应估算CVD方法生长在铜箔上的石墨烯迁移率的方法，属于半导体技术领域。通过测量以石墨烯为沟道的背栅场效应晶体管中源漏电流随栅压的变化，来估算石墨烯的迁移率，石墨烯的转移过程在制作电极之后，不仅避免了制作电极对石墨烯的损伤，同时也避免了光刻过程中光刻胶对石墨烯的影响，石墨烯转移之后不需要进行光刻，不仅简化了一步工艺步骤，降低了成本，而且也避免了光刻对石墨烯的影响。