公开(公告)号：CN113161861A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110419702.3

申请日：2021-04-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 雷訇 ,  刘奇 ,  李强 ,  朱占达 ,  惠勇凌

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种多通泵浦Yb:YAG双包层平面波导激光放大器，本发明在平面波导侧面进行切角，采用对称多通泵浦的方式，波导外形为对称多边形结构，泵浦光进入波导后，在两个反射面间来回反射，多次通过芯层，在反射一定次数后，泵浦光会折返回来，大幅提升泵浦吸收长度，有效提高泵浦吸收效率，并且对称泵浦使泵浦光在结构内对称分布，提高了增益介质的泵浦吸收均匀性，减小增益介质中心和侧面的温度梯度，改善热效应。制备方式采用键合技术，使得平面波导放大器整体结构更加简单紧凑，本发明的侧面切角对称多通泵浦平面波导结构具有较大的功率体积比，易于实现小型化、大功率的工程应用。

公开(公告)号：CN104392945A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410602373.6

申请日：2014-10-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  郭旺 ,  许坤 ,  刘奇 ,  邓军 ,  朱彦旭

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66477

Abstract: 一种基于场效应估算CVD方法生长在铜箔上的石墨烯迁移率的方法，属于半导体技术领域。通过测量以石墨烯为沟道的背栅场效应晶体管中源漏电流随栅压的变化，来估算石墨烯的迁移率，石墨烯的转移过程在制作电极之后，不仅避免了制作电极对石墨烯的损伤，同时也避免了光刻过程中光刻胶对石墨烯的影响，石墨烯转移之后不需要进行光刻，不仅简化了一步工艺步骤，降低了成本，而且也避免了光刻对石墨烯的影响。

公开(公告)号：CN104867817A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510262462.5

申请日：2015-05-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  刘奇 ,  孙捷 ,  许坤

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/033 ,  H01L21/2033 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/028

Abstract: 一种薄膜平面化的半导体工艺，在现有的利用石墨烯薄膜来制作半导体工艺中，常常会遇到薄膜受损严重的情况。本发明将光刻与溅射工艺相结合，并利用感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma，ICP)，来保证石墨烯薄膜和金属结构的完整接触。在提高了金属和衬底的粘附性的同时，又不损坏石墨烯的薄膜结构，大大提高了半导体器件的可靠性和稳定性。