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公开(公告)号：CN110556221A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910742765.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有大磁熵变和宽工作温区的Mn5Ge3/(Mn,Fe)5Ge3类单晶异质结室温磁制冷材料及其制备工艺。以单质Mn、Fe、P、Ge和Sn为原材料，按照Mn2-xFexP1-yGeySn12(0.80≤x≤0.90,0.20≤y≤0.26)的成分配比将原材料混合并封装在充入Ar气的石英管中，经过高温保温、缓慢降温、倾倒熔融金属Sn以及酸洗分离等过程，首次成功制备出了直径约为100～300μm、长度最大可达1cm的针状Mn5Ge3/(Mn,Fe)5Ge3类单晶异质结室温磁制冷材料。该室温磁制冷材料具有大磁熵变、宽工作温区、大制冷能力以及无需后续加工且耐酸腐蚀等优点，可直接用做室温磁制冷工质。
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公开(公告)号：CN114361289A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210023809.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。
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公开(公告)号：CN110052603B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910419931.8
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构微/纳米线的方法，涉及金属纳米材料制备领域，实现微/纳米线直径和长度尺寸的可控制备。该方法以片状锰，铁，赤磷，锗颗粒，锡球为原料，通过高温烧结、酸腐蚀和一定温度下存放等过程，制备出直径和长度可控的具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线。本发明首次制备出具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线，其中β‑Sn微/纳米线作为“核”，超薄非晶态MnOX纳米片作为“壳”层，完全把Sn包裹住，形成Sn@MnOx微/纳米线异质结构。本发明不仅丰富了成熟的纳米结构形态库，扩大对纳米级晶体生长的理解，在制备纳米线基传感器元件方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN113707752B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110841776.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。CrPS4‑MoS2异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用，更好的满足下一代集成电路的发展要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361289B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210023809.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。
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公开(公告)号：CN114959403A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210505550.3
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温域内具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料，化学式为LaxNd1‑xMn2Ge2(0＜x＜1)。该系列磁性材料在包括室温在内的宽温域中具有大拓扑霍尔效应，且其值随温度的降低由正值变为负值，这使其有可能成为一种具有小尺寸和高密度斯格明子的磁性材料，同时其斯格明子磁畴结构的自旋方向可能随温度的变化而发生翻转，这预示着随温度的变化可形成不同的磁存储单元；此外，随着La/Nd比值的减小，其居里温度、自旋重取向温度等磁转变温度会随之升高，导致不同磁存储单元的工作温区随之变化，可以据此进行工作温区的调控。因此，该系列磁性材料是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。
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公开(公告)号：CN110052603A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910419931.8
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构微/纳米线的方法，涉及金属纳米材料制备领域，实现微/纳米线直径和长度尺寸的可控制备。该方法以片状锰，铁，赤磷，锗颗粒，锡球为原料，通过高温烧结、酸腐蚀和一定温度下存放等过程，制备出直径和长度可控的具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线。本发明首次制备出具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线，其中β-Sn微/纳米线作为“核”，超薄非晶态MnOX纳米片作为“壳”层，完全把Sn包裹住，形成Sn@MnOx微/纳米线异质结构。本发明不仅丰富了成熟的纳米结构形态库，扩大对纳米级晶体生长的理解，在制备纳米线基传感器元件方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN113707752A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110841776.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。CrPS4‑MoS2异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用，更好的满足下一代集成电路的发展要求。
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公开(公告)号：CN110556221B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910742765.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有大磁熵变和宽工作温区的Mn5Ge3/(Mn,Fe)5Ge3类单晶异质结室温磁制冷材料及其制备工艺。以单质Mn、Fe、P、Ge和Sn为原材料，按照Mn2‑xFexP1‑yGeySn12(0.80≤x≤0.90,0.20≤y≤0.26)的成分配比将原材料混合并封装在充入Ar气的石英管中，经过高温保温、缓慢降温、倾倒熔融金属Sn以及酸洗分离等过程，首次成功制备出了直径约为100～300μm、长度最大可达1cm的针状Mn5Ge3/(Mn,Fe)5Ge3类单晶异质结室温磁制冷材料。该室温磁制冷材料具有大磁熵变、宽工作温区、大制冷能力以及无需后续加工且耐酸腐蚀等优点，可直接用做室温磁制冷工质。
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