公开(公告)号：CN103426736A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310271137.6

申请日：2013-06-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 季凌飞 ,  吕晓占 ,  吴燕 ,  凌晨 ,  胡炎 ,  蒋毅坚 ,  王世贤

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法。本发明包括以下步骤：1.激光扫描开孔定位：软件绘制所需制绒图形（CAD绘制），皮秒激光依照图形在清洗后的硅片表面进行扫描开孔，形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面；2.酸洗孔状绒面：先用HF酸漂洗，再进行蒸馏水清洗。3.酸洗孔状绒层：先用HF酸漂洗，再进行超纯水清洗。4.制备倒金字塔绒面：将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热，制备出微米级倒金字塔绒面。本发明省去了制备和去除掩膜工艺，代之以激光扫描开孔技术，制绒区域的大小和形状可通过软件（CAD）进行定制；在太阳光谱光子密集的400nm-700nm波段具有优异的减反效果，反射率达到了5%。