公开(公告)号：CN101463645B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810239233.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严建华 ,  郭红霞 ,  王群 ,  崔素萍 ,  韩国艳 ,  肖凯 ,  李智丰 ,  陈沫 ,  邹玉林 ,  李质斌 ,  张翔

IPC: E04F15/02 ,  C04B41/86 ,  B28B3/00

Abstract: 一种抗静电瓷砖及其制造方法属于建筑材料技术领域。现有抗静电瓷砖存在施工不方便、施工后性能稳定性差及综合性能较差的缺点。本发明所提供的瓷砖包括有半导体釉和瓷砖坯体，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，还包括有导电颗粒；其中，导电颗粒分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通，导电颗粒尺寸为4～16目。本发明通过将导电材料粉末和瓷砖坯体原料混合得到导电颗粒坯料后，将其播撒于瓷砖模具底部，布入瓷砖坯体原料成型得到瓷砖生坯，而后在瓷砖生坯的上表面施半导体釉、烘干、烧成、切边，得到抗静电瓷砖。本发明抗静电瓷砖具有施工性能良好，制造成本低，适用于大规模生产的特点。

公开(公告)号：CN101463645A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810239233.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严建华 ,  郭红霞 ,  王群 ,  崔素萍 ,  韩国艳 ,  肖凯 ,  李智丰 ,  陈沫 ,  邹玉林 ,  李质斌 ,  张翔

IPC: E04F15/02 ,  C04B41/86 ,  B28B3/00

Abstract: 一种抗静电瓷砖及其制造方法属于建筑材料技术领域。现有抗静电瓷砖存在施工不方便、施工后性能稳定性差及综合性能较差的缺点。本发明所提供的瓷砖包括有半导体釉和瓷砖坯体，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，还包括有导电颗粒；其中，导电颗粒分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通，导电颗粒尺寸为4～16目。本发明通过将导电材料粉末和瓷砖坯体原料混合得到导电颗粒坯料后，将其播撒于瓷砖模具底部，布入瓷砖坯体原料成型得到瓷砖生坯，而后在瓷砖生坯的上表面施半导体釉、烘干、烧成、切边，得到抗静电瓷砖。本发明抗静电瓷砖具有施工性能良好，制造成本低，适用于大规模生产的特点。

公开(公告)号：CN201339295Y

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200820124251.0

申请日：2008-12-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严建华 ,  郭红霞 ,  李智丰 ,  王群 ,  韩国艳 ,  肖凯 ,  陈沫 ,  李建国 ,  李质斌 ,  王会议 ,  张宗莲

IPC: E04F15/02 ,  C04B41/86

Abstract: 一种抗静电瓷砖属于建筑材料科学技术领域。现有抗静电瓷砖存在施工不方便、施工后稳定性差及综合性能较差的缺点。本实用新型所提供的抗静电瓷砖包括有半导体釉和瓷砖坯体，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，还包括有导电颗粒；其中，导电颗粒分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通，导电颗粒的尺寸为4～16目。优选将导电颗粒以1～4个/cm2的密度分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。本实用新型抗静电瓷砖抗静电性能好，成本低，有利于大规模工业化生产。