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公开(公告)号：CN103728546A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410016013.8
申请日：2014-01-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 晶体管加速寿命试验及工作点稳定的系统，属于测量技术及方法的范畴。包括了放置器件的加热热穴（101），加热平台（102），固定加热平台（102）的主机箱（106）中连接了温度控制器（107），温度显示器（103），电源偏置显示器（104），电源偏置控制器（105），所述的在加热平台（102）上有30个相同形状可放置B3型封装晶体管的加热热穴（101）。本发明能实现同时对30只同型号的晶体管进行加热和工作点稳定的功能。
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公开(公告)号：CN101795060B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010130640.6
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H02M3/00
Abstract: 混合集成电路DC/DC变换器可靠性快速评价方法，属于混合集成电路技术领域。本发明的步骤为：先测量出混合集成电路DC/DC变换器在正常工作状态(V0＝15V，常温)下的壳温和变压的温度，并计算出焦耳热温升ΔT1；限定本方法的最高试验温度为(230℃-ΔT1)；测量该混合集成电路DC/DC变换器的失效敏感参数P在选定温度范围内在工作状态(V0＝15V)下随温度T0t退化的数据，并绘制曲线且拟合成直线；根据公式 和试验数据计算失效激活能Q；根据公式 和试验数据计算工作寿命。本发明方法使试验周期缩短至3000小时，成本降低1/3以上，所需试验样品减少1/3。
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公开(公告)号：CN101795060A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010130640.6
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H02M3/00
Abstract: 混合集成电路DC/DC变换器可靠性快速评价方法，属于混合集成电路技术领域。本发明的步骤为：先测量出混合集成电路DC/DC变换器在正常工作状态(V0＝15V，常温)下的壳温和变压的温度，并计算出焦耳热温升ΔT1；限定本方法的最高试验温度为(230℃-ΔT1)；测量该混合集成电路DC/DC变换器的失效敏感参数P在选定温度范围内在工作状态(V0＝15V)下随温度T0t退化的数据，并绘制曲线且拟合成直线；根据公式和试验数据计算失效激活能Q；根据公式和试验数据计算工作寿命。本发明方法使试验周期缩短至3000小时，成本降低1/3以上，所需试验样品减少1/3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1216413C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03157526.9
申请日：2003-09-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 微电子器件可靠性快速评价方法，属于微电子技术领域。本发明的步骤为：1)先测量出微电子器件焦耳热温升；2)测量该微电子器件的失效敏感参数P在选定温度范围内分别在不加和加电应力条件下随温度Tj变化的数据，并分别绘制曲线且拟合成直线；3)取3组微电子器件，在三种不同电应力的条件下，进行温度斜坡试验，得到每组微电子器件的平均失效激活能、平均失效时间、平均失效温度范围；4)计算出公式：中的系数A、m、n；5)计算失效敏感参数P所承受的电热应力的能量；6)计算微电子器件在V、j和Tj分别为正常工作条件下的数值时的寿命τ。本发明可使试验周期缩短、所需试验样品少，大大降低了成本，同时能够给出单样品的寿命。
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公开(公告)号：CN1138217A
公开(公告)日：1996-12-18
申请号：CN95105950.5
申请日：1995-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/43
Abstract: 一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离SiO2绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长度的计算公式。它利用了与电迁徙现象同时共存的回流效应来彻底消除电迁徙现象，以便从根本上解决多层金属化结构的电迁徙失效问题，从而提高了VLSI，ULSI及微波器件的寿命。
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公开(公告)号：CN103728546B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410016013.8
申请日：2014-01-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 晶体管加速寿命试验及工作点稳定的系统，属于测量技术及方法的范畴。包括了放置器件的加热热穴（101），加热平台（102），固定加热平台（102）的主机箱（106）中连接了温度控制器（107），温度显示器（103），电源偏置显示器（104），电源偏置控制器（105），所述的在加热平台（102）上有30个相同形状可放置B3型封装晶体管的加热热穴（101）。本发明能实现同时对30只同型号的晶体管进行加热和工作点稳定的功能。
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公开(公告)号：CN1492492A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03157526.9
申请日：2003-09-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 微电子器件可靠性快速评价方法，属于微电子技术领域。本发明的步骤为：1)先测量出微电子器件焦耳热温升；2)测量该微电子器件的失效敏感参数P在选定温度范围内分别在不加和加电应力条件下随温度Tj变化的数据，并分别绘制曲线且拟合成直线；3)取3组微电子器件，在三种不同电应力的条件下，进行温度斜坡试验，得到每组微电子器件的平均失效激活能、平均失效时间、平均失效温度范围；4)计算出公式：中的系数A、m、n；5)计算失效敏感参数P所承受的电热应力的能量；6)计算微电子器件在V、j和Tj分别为正常工作条件下的数值时的寿命τ。本发明可使试验周期缩短、所需试验样品少，大大降低了成本，同时能够给出单样品的寿命。
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公开(公告)号：CN2331082Y
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN98206546.9
申请日：1998-07-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/328 , H01L29/70
Abstract: 一种微波晶体管金属化布线加固结构,属于微波晶体管制造技术领域。包含发射区、覆盖于发射区上的欧姆接触层,部分覆盖发射区并在欧姆接触层下部的绝缘层,覆盖于欧姆接触层上的阻挡层和覆盖于阻挡层上的上金属化层,其特征在于:距欧姆接触层引出部分边缘一定距离处有一横断该层的回流间隙,阻挡层通过回流间隙与绝缘层相接触。该结构能有效克服电迁徒现象的发生,提高器件寿命和可靠性。
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