公开(公告)号：CN105449518A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610013644.3

申请日：2016-01-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭霞 ,  史磊 ,  李冲 ,  何艳 ,  胡帅 ,  董建

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18327 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法属于半导体光电子技术领域。激光器，包括下电极，衬底，有源区和上电极，包括下布拉格反射镜，有源区，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜和SiO2钝化层，其特征在于：上布拉格反射镜上方设有出光窗口，所述出光窗口布置有银纳米线透明导电薄膜，使电流从电极向有源区扩散的更均匀，从而提高出光质量和输出光功率。器件制作所用工艺为传统垂直腔面发射激光器制作工艺，不增加额外加工工艺，制作成本低，可操作性强，可重复性好。