公开(公告)号：CN102332474A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110317165.8

申请日：2011-10-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王丽 ,  苏雪琼 ,  孙睿 ,  包传辰

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/26 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法，属于二极管技术领域。分别采用化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和热蒸镀法依次从下至上分别将SiO2、N型InGaZnO和Al沉积在N型硅衬底上。本发明肖特基二极管器件反向击穿电压大，反向漏电流小，价格低廉、制备工艺简单的铟镓锌氧化物肖特基二极管器件。

公开(公告)号：CN202268352U

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201120395831.5

申请日：2011-10-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王丽 ,  苏雪琼 ,  包传辰 ,  孙睿

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/26

Abstract: 本实用型性公开了一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法，属于二极管技术领域。分别采用化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和热蒸镀法依次从下至上分别将SiO2、N型InGaZnO和Al沉积在N型硅衬底上。本实用型性肖特基二极管器件反向击穿电压大，反向漏电流小，价格低廉。