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公开(公告)号：CN115207150A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210869708.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种全通信波段覆盖的高速光电探测器，高速光电探测器是半导体光电探测器件；半导体光电探测器件为台面结构，包括自下向上依次设置的衬底层、本征吸收层、等离激元纳米金属颗粒层和透明电极层；衬底层通过刻蚀暴露在台面结构的下台面，本征吸收层位于台面结构的上台面；衬底层上设有第一金属电极，透明电极层上设有第二金属电极；本征吸收层的表面纵向制作周期性锥形空气孔洞形成光子晶体；周期性锥形空气孔洞内填充有禁带宽度不同于本征吸收层材料的其他半导体材料以形成锥形孔洞材料填充区。本发明适用探测波长范围为紫外、可见光、近红外波段，同时具有高吸收效率、高集成度等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115207150B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210869708.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种全通信波段覆盖的高速光电探测器，高速光电探测器是半导体光电探测器件；半导体光电探测器件为台面结构，包括自下向上依次设置的衬底层、本征吸收层、等离激元纳米金属颗粒层和透明电极层；衬底层通过刻蚀暴露在台面结构的下台面，本征吸收层位于台面结构的上台面；衬底层上设有第一金属电极，透明电极层上设有第二金属电极；本征吸收层的表面纵向制作周期性锥形空气孔洞形成光子晶体；周期性锥形空气孔洞内填充有禁带宽度不同于本征吸收层材料的其他半导体材料以形成锥形孔洞材料填充区。本发明适用探测波长范围为紫外、可见光、近红外波段，同时具有高吸收效率、高集成度等优点。
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公开(公告)号：CN114664959B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210255542.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体的多通道探测器，包括：衬底；在衬底的顶部本征层内制作有周期性空气孔排列形成的光子晶体，顶部本征层上选择生长两种不同的吸收材料；在顶部本征层和吸收材料一上溅射形成N电极和P电极，在吸收材料二的两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，在p型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在n型掺杂区上形成N+欧姆接触电极；两组P电极与N电极之间形成电势差，实现光电转换。本发明多通道探测器的结构设计灵活，通过光子晶体的陷光效应提高对光的捕获率，便于与现有光通信器件集成，可实现光缓存；同时，通过多通道探测不同波长的光，实现波分复用的光传输系统，提高了探测器吸收效率。
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公开(公告)号：CN116435873A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310205481.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片，阵列尺寸为1×2；其包括：相对称的第一激光发射单元和第二激光发射单元；第一激光发射单元和第二激光发射单元均包括自上至下依次设置的第一反射镜、氧化限制层、有源层、第二反射镜和衬底层；第一激光发射单元和第二激光发射单元的氧化限制层的中间设有水滴型通光孔，第一激光发射单元和第二激光发射单元的端面设有水滴型出光孔；两个水滴型通光孔和两个水滴型出光孔均对称排布且孔间距小于激射波长。本发明的两激光在第一反射镜和第二反射镜之间振荡传播，在通光孔内通过倏逝波形式垂直于氧化限制层向表面方向出射，两个激光发射单元发射的倏逝波在水滴尖端附近产生耦合，发出相干光。
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公开(公告)号：CN114664959A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210255542.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体的多通道探测器，包括：衬底；在衬底的顶部本征层内制作有周期性空气孔排列形成的光子晶体，顶部本征层上选择生长两种不同的吸收材料；在顶部本征层和吸收材料一上溅射形成N电极和P电极，在吸收材料二的两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，在p型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在n型掺杂区上形成N+欧姆接触电极；两组P电极与N电极之间形成电势差，实现光电转换。本发明多通道探测器的结构设计灵活，通过光子晶体的陷光效应提高对光的捕获率，便于与现有光通信器件集成，可实现光缓存；同时，通过多通道探测不同波长的光，实现波分复用的光传输系统，提高了探测器吸收效率。
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公开(公告)号：CN118281105A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410497372.3
申请日：2024-04-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单载流子探测器及制备方法，属于光电检测技术领域。该探测器包括：采用本征Si衬底，预设厚度的本征吸收层或n‑型掺杂吸收层，可降低材料晶格失配度，同时降低材料成本，提高吸收光谱范围；本征吸收层或n‑型掺杂吸收层的一侧依次形成有n+型阻挡层和第二电极；本征吸收层或n‑型掺杂吸收层的另一侧依次形成有p型收集层、抗反射增透薄膜层、透明电极层和第一电极，p型收集层的上表面进行离子重掺杂，形成p+接触区和n+隔离环，n+隔离环位于p+接触区的外侧；透明电极层与p+接触区相接，形成欧姆接触。本发明的单载流子探测器具有宽吸收光谱、高吸收、高集成度和多功能等优点，适用波长范围为可见光、近红外波段。
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