公开(公告)号：CN115360212A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211030878.0

申请日：2022-08-26

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： E.伊朗曼纳什 ,  梁梓浩 ,  周航

IPC: H01L27/28 ,  H01L41/083 ,  H01L41/113 ,  H01L41/27 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管，制备方法及检测电路，应用于晶体管技术领域。使用压电薄膜作为晶体管中的n型掺杂层，由两个n型压电层夹住p型聚合物形成n‑p‑n结构的双极型晶体管，任何机械应力施加在该晶体管顶部时，会在压电层产生电荷，并在压电层上下两个表面极化，相反的电荷积聚在不同的表面。且由于形成有两个pn结，自由载流子钝化可以使输出信号放大，从而通过施加压力可以增强感应压电势，从而实现在双极型晶体管中传感功能与能量采集功能的结合，在传感功能工作时可以同时进行能量采集，无需外加任何电源和信号放大电路。

公开(公告)号：CN114665004A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210271862.2

申请日：2022-03-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： E.伊朗曼纳什 ,  周航 ,  梁梓浩

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/193 ,  H01L41/39 ,  H01L41/45

Abstract: 本发明实施例提供一种多功能二极管压电传感器、制备方法及穿戴设备，包括：柔性基底、金属顶电极和金属氧化物导电底电极，所述金属顶电极和金属氧化物导电底电极制作在柔性基底上；所述多功能二极管压电传感器具有P‑N结二极管结构，所述P‑N结二极管结构处于金属顶电极和金属氧化物导电底电极之间；所述P‑N结二极管结构的N型层设于所述P‑N结二极管结构的P型层之下；所述P‑N结二极管结构的N型层为半导体压电材料，所述P‑N结二极管结构的P型层为有机半导体；且P型层上表面封装PET钝化层。压电性能好，探测模式下具有高灵敏度，适用探测范围广；在探测的同时还能进行能量采集，无需外接电源。