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公开(公告)号:CN111477743B
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202010307798.X
申请日:2020-04-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法,其中包括步骤:提供栅极;沉积聚合物材料至所述栅极上,形成介电层;将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理;沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上,形成有机半导体层;沉积电极层材料在有机半导体层上,形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时,采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除,同时OFET亚阈值斜率也显著降低,且载流子迁移率有效提升。除此之外,处理后的OFET开关速度得到提升,通过串联发光二极管,可以提升发光二极管开关速率。
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公开(公告)号:CN113969162A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202010718287.7
申请日:2020-07-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C09K11/02 , C09K11/58 , C09K11/87 , C09K11/54 , C09K11/60 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02F1/13357 , G02B1/08
Abstract: 本发明涉及一种旋光材料的制备方法,包括如下步骤:S1.金属点纳米棒的制备:将金属盐溶于溶剂,加入烷基酸和配体,水浴一锅法制备得到金属点纳米棒材料;S2.与胶材复合:将所述金属点纳米棒材料与胶材混合,旋涂铺开后即得所述旋光材料。本发明还将金属点纳米棒制备成背光膜片,将背光膜片集成在背光LCD模组中。利用金属点纳米棒的旋光性能,将背光的光利用率提升,激发光强度100%利用上,提升了光利用率,提升了显示亮度,成为新一代显示屏背光的有利取代材料。
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公开(公告)号:CN111909295A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN202010626441.8
申请日:2020-07-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C08F120/20 , C08F2/48 , C08K5/37 , H01G9/20
Abstract: 本发明涉及感光材料领域,提供了一种光敏化材料的制备方法,将金属盐溶于溶剂,加入配体,使用一锅法制备得到金属点材料;然后与聚合物单体进行混合,铺开后进行紫外光固化,即得所述光敏化材料。由于金属点稳定,合成简易,且可以大批量生产,并且结构可控,感光区覆盖宽,且毒性低,由于其纳米级尺度可以与柔性基底匹配,在各方面占优势的情况下,利用一层薄薄的金属簇层覆盖在感光层上方,即可起到敏化的作用,结合感光层的高载子迁移率以及敏化层的高吸光率,大大的提升了器件的光响应能力,满足目前大尺寸显示需求。
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公开(公告)号:CN111477743A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010307798.X
申请日:2020-04-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法,其中包括步骤:提供栅极;沉积聚合物材料至所述栅极上,形成介电层;将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理;沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上,形成有机半导体层;沉积电极层材料在有机半导体层上,形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时,采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除,同时OFET亚阈值斜率也显著降低,且载流子迁移率有效提升。除此之外,处理后的OFET开关速度得到提升,通过串联发光二极管,可以提升发光二极管开关速率。
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公开(公告)号:CN111909295B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202010626441.8
申请日:2020-07-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C08F120/20 , C08F2/48 , C08K5/37 , H01G9/20
Abstract: 本发明涉及感光材料领域,提供了一种光敏化材料的制备方法,将金属盐溶于溶剂,加入配体,使用一锅法制备得到金属点材料;然后与聚合物单体进行混合,铺开后进行紫外光固化,即得所述光敏化材料。由于金属点稳定,合成简易,且可以大批量生产,并且结构可控,感光区覆盖宽,且毒性低,由于其纳米级尺度可以与柔性基底匹配,在各方面占优势的情况下,利用一层薄薄的金属簇层覆盖在感光层上方,即可起到敏化的作用,结合感光层的高载子迁移率以及敏化层的高吸光率,大大的提升了器件的光响应能力,满足目前大尺寸显示需求。
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