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公开(公告)号：CN109902263B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201711283539.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供一种判断有机半导体材料载流子传输各向异性程度的方法，使用理论模型判断有机半导体材料内部载流子传输各向异性程度。该模型特征为：1.通过数学关系式，准确表达了有机半导体材料的各向异性比和材料结构参数的关系.2.通过等值线图的方式实现了预测结果的可视化，直观体现材料的各向异性程度随材料结构参数变化的趋势，为寻找新的各向同性有机半导体材料提供依据。经实践，该模型能成功地解释已知材料的各向异性，并能够成功预测新型材料的各向异性程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111909295B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010626441.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C08F120/20 , C08F2/48 , C08K5/37 , H01G9/20
Abstract: 本发明涉及感光材料领域，提供了一种光敏化材料的制备方法，将金属盐溶于溶剂，加入配体，使用一锅法制备得到金属点材料；然后与聚合物单体进行混合，铺开后进行紫外光固化，即得所述光敏化材料。由于金属点稳定，合成简易，且可以大批量生产，并且结构可控，感光区覆盖宽，且毒性低，由于其纳米级尺度可以与柔性基底匹配，在各方面占优势的情况下，利用一层薄薄的金属簇层覆盖在感光层上方，即可起到敏化的作用，结合感光层的高载子迁移率以及敏化层的高吸光率，大大的提升了器件的光响应能力，满足目前大尺寸显示需求。
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公开(公告)号：CN109423696B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201710736116.5
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。
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公开(公告)号：CN111909295A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010626441.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C08F120/20 , C08F2/48 , C08K5/37 , H01G9/20
Abstract: 本发明涉及感光材料领域，提供了一种光敏化材料的制备方法，将金属盐溶于溶剂，加入配体，使用一锅法制备得到金属点材料；然后与聚合物单体进行混合，铺开后进行紫外光固化，即得所述光敏化材料。由于金属点稳定，合成简易，且可以大批量生产，并且结构可控，感光区覆盖宽，且毒性低，由于其纳米级尺度可以与柔性基底匹配，在各方面占优势的情况下，利用一层薄薄的金属簇层覆盖在感光层上方，即可起到敏化的作用，结合感光层的高载子迁移率以及敏化层的高吸光率，大大的提升了器件的光响应能力，满足目前大尺寸显示需求。
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公开(公告)号：CN109902263A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711283539.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供一种判断有机半导体材料载流子传输各向异性程度的方法，使用理论模型判断有机半导体材料内部载流子传输各向异性程度。该模型特征为：1.通过数学关系式，准确表达了有机半导体材料的各向异性比和材料结构参数的关系.2.通过等值线图的方式实现了预测结果的可视化，直观体现材料的各向异性程度随材料结构参数变化的趋势，为寻找新的各向同性有机半导体材料提供依据。经实践，该模型能成功地解释已知材料的各向异性，并能够成功预测新型材料的各向异性程度。
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公开(公告)号：CN109423696A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710736116.5
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。
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