公开(公告)号：CN116581176A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310470640.8

申请日：2023-04-26

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  郑志炜 ,  郑大伟 ,  王云萍 ,  蔡泽宇 ,  杨丹

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/20

Abstract: 一种肖特基光电二极管及其制造方法，肖特基光电二极管，包括：阳极层，阳极层为高功函数电极材料；阴极层，阴极层为低功函数电极材料；形成在阳极层与阴极层之间的异质结结构；异质结结构包括第一半导体层与第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层为两种不同的半导体材料层，第一半导体层与第二半导体层均为非晶氧化物半导体材料；第一半导体层与阳极层接触，并形成肖特基接触；第二半导体层与阴极层接触，并形成欧姆接触。本申请提高可以提高基于非晶氧化物半导体的肖特基光电二极管的性能。