一种管式炉及利用其改变生长基片或源材料位置的方法

    公开(公告)号:CN101323970A

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200810116751.4

    申请日:2008-07-16

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 沈越 方昊 王中林

    Abstract: 本发明公开了一种管式炉,包括炉体;耐高温管,一部分放置在炉体中,一部分露于炉体外;样品台,放置在耐该高温管内;铁磁驱动元件,放置在所述耐高温管内,通过连接杆与所述样品台连接,铁磁驱动元件放置于所述耐高温管露于炉体外的部分;磁体,设置在耐高温管露于炉体外部分的外壁上,磁体沿耐高温管轴向方向移动,在磁力的作用下驱动铁磁驱动元件、连接杆和样品台移动。本发明利用管式炉内不同位置的温度不同,快速改变生长基片或源材料的位置,来调整生长基片或源材料的温度,可以在加热状态下使用,不影响管式炉的气密性,制备各种纳米线、纳米薄膜材料。并且本发明具有操作简单、成本低、移动精度高,速度快的优点。

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