一种面向SoC芯片的晶圆级高温老化测试调度方法

    公开(公告)号:CN103018646A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201110282433.7

    申请日:2011-09-21

    Abstract: 本发明公开了一种面向SoC芯片的晶圆级高温老化测试调度的方法,利用测试模式下芯片所产生的高热量对芯片进行加热,以电路节点功耗为导向的,通过选择不同温控能力的测试矢量,控制各测试矢量的施加时间,从而控制电路模块或SoC芯片的测试温度,并控制WLTBI测试持续时间;通过优化电路测试路径,安排测试数据在不同测试路径上的发送时序,从而增强测试并行性,减少测试时间。本发明可以根据测试要求,在同一测试架构下灵活配置测试方案,可达提高老化测试的精确性和减少测试成本的目的。

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