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公开(公告)号:CN117986240A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202311829543.X
申请日:2023-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: C07D403/10 , C07D401/14 , H10K85/60 , H10K50/11
Abstract: 本发明涉及一种三线态激子中转库材料及应用。本发明所述的三线态激子中转库材料核心为多元稠环,具有较低的第一三线态能级(小于2.1eV),有利于三线态激子通过TTF效应回收利用以及提升分子稳定性,其中包含的三联吡啶和三嗪作为受体,有利于增加吸电子能力,提升电子传输特性,同时与给体的咔唑类基团相互作用可以产生HLCT效应以提升蓝光效率;该类材料可以有效降低发光材料的高三线态激子的浓度,改善器件的稳定性;该类材料还可以在降低发光材料的高三线态激子浓度的同时,通过TTF及HLCT过程提高发光层中三线态激子的利用效率。