公开(公告)号：CN117986240A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311829543.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖立新 ,  陈志坚 ,  郭浩清 ,  唐振宇 ,  龚乐帆

IPC: C07D403/10 ,  C07D401/14 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明涉及一种三线态激子中转库材料及应用。本发明所述的三线态激子中转库材料核心为多元稠环，具有较低的第一三线态能级(小于2.1eV)，有利于三线态激子通过TTF效应回收利用以及提升分子稳定性，其中包含的三联吡啶和三嗪作为受体，有利于增加吸电子能力，提升电子传输特性，同时与给体的咔唑类基团相互作用可以产生HLCT效应以提升蓝光效率；该类材料可以有效降低发光材料的高三线态激子的浓度，改善器件的稳定性；该类材料还可以在降低发光材料的高三线态激子浓度的同时，通过TTF及HLCT过程提高发光层中三线态激子的利用效率。

公开(公告)号：CN117106438A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310833186.8

申请日：2023-07-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 曲波 ,  杨爽 ,  陈志坚 ,  肖立新 ,  劳怡楠 ,  俞文锦 ,  唐振宇 ,  郭浩清

IPC: C09K11/02 ,  H10K50/12 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16 ,  C30B29/22 ,  C09K11/66

Abstract: 本发明涉及一种核壳结构锡基钙钛矿纳米晶制备方法及应用。本发明调整铯源和亚锡源的投料比及油胺油酸的比例，通过一步热注入方法，得到了溴化铯为壳层，锡基钙钛矿为核层的纳米晶；进一步利用上述纳米晶制备了发光二极管器件。上述锡基钙钛矿纳米晶具有持续稳定的高荧光量子产率，基于该纳米晶制备的发光二极管器件具有很高的发光效率。

公开(公告)号：CN114790196A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210381716.5

申请日：2022-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖立新 ,  郭浩清 ,  唐振宇 ,  陈志坚

IPC: C07D401/14 ,  C07D471/10 ,  C07D213/22 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种高三线态能级激子限域/电子传输材料及其制备方法与应用。本发明所述的激子限域/电子传输材料在螺芴的3、6位连接，具有较高的三线态能级(≥2.8eV)，有利于三线态激子的限域与阻挡；三联吡啶配合螺芴的N原子取代，有利于增加电子传输能力；该材料的整个分子成非平面结构，避免分子间聚集和相互作用，该材料具有很好的热稳定性，玻璃化转变温度超过180℃。使用该材料制成的器件发光效率提高显著。

公开(公告)号：CN114790196B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202210381716.5

申请日：2022-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖立新 ,  郭浩清 ,  唐振宇 ,  陈志坚

IPC: C07D401/14 ,  C07D471/10 ,  C07D213/22 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11 ,  H10K50/16 ,  H10K101/10

Abstract: 本发明涉及一种高三线态能级激子限域/电子传输材料及其制备方法与应用。本发明所述的激子限域/电子传输材料在螺芴的3、6位连接，具有较高的三线态能级(≥2.8eV)，有利于三线态激子的限域与阻挡；三联吡啶配合螺芴的N原子取代，有利于增加电子传输能力；该材料的整个分子成非平面结构，避免分子间聚集和相互作用，该材料具有很好的热稳定性，玻璃化转变温度超过180℃。使用该材料制成的器件发光效率提高显著。